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[期刊论文] 作者：王琦琨,
来源：人工晶体学报 年份：2020
氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2 eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优...
[学位论文] 作者：王琦琨,,
来源：上海大学 年份：2020
氮化铝（AlN）作为第三代宽禁带半导体材料,具有高禁带宽度（6.2 e V）、高热导率（340 W/（m?K））、高击穿场强（11.7 MV/cm）、良好的紫外透过率、化学和热稳定性等优异性能,是高温、高频、高......
[期刊论文] 作者：王智昊,王琦琨,贺广东,雷丹,黄嘉丽,吴亮,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2020
提出了用物理气相传输法自支撑生长氮化铝单晶的新方法,此方法可以在氮化铝烧结体表面一次性获得大量生长的氮化铝单晶.在2373～2523 K的温度条件下经过100 h生长的氮化铝单晶,...
[期刊论文] 作者：付丹扬,龚建超,雷丹,黄嘉丽,王琦琨,吴亮,
来源：人工晶体学报 年份：2020
氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳定性等优异性能,是氮化镓基(GaN)高温、高频...
[期刊论文] 作者：龚建超,朱如忠,刘欢,王琦琨,李哲,张刚,吴亮,
来源：人工晶体学报 年份：2020
采用物理气相传输(PVT)法在AlN原料表面自发生长出大量毫米级尺寸的AlN单晶。本文对该工艺下AlN单晶的自然形貌、极性、杂质含量等进行了分析。实验及分析结果表明,在实验工...
[期刊论文] 作者：李哲,张刚,付丹扬,王琦琨,雷丹,任忠鸣,吴亮,
来源：人工晶体学报 年份：2020
本文基于自主设计的氮化铝生长炉，开展了四组不同工艺条件下Al极性面氮化铝籽晶同质外延生长氮化铝单晶的生长特征及其结晶质量表征研究。研究结果表明：不同工艺条件下生长的晶体的拉曼图谱E2（high）特征峰峰位表明晶体内部均存在较小的拉应力；坩埚顶部在相对较高温度......
[期刊论文] 作者：刘欢,朱如忠,龚建超,王琦琨,付丹扬,雷丹,黄嘉丽,吴亮,
来源：人工晶体学报 年份：2020
采用直流反应磁控溅射与高温退火工艺大批量制备了膜厚为200 nm、400 nm及800 nm的2英寸蓝宝石基氮化铝模板,并对高温退火前后不同膜厚模板使用各种表征手段进行对比分析。结...
[期刊论文] 作者：龚建超，朱如忠，刘欢，王琦琨，李哲，张刚，吴亮，GONGJianchao，ZHURuzhong，LIUHuan，WANGQikun，LIZhe，ZHANGGang，WULiang,
来源：人工晶体学报 年份：2020
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