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[期刊论文] 作者：龚加玮,王琦琨,雷丹,吴亮,
来源：半导体光电 年份：2018
AlN晶体中的氧杂质会严重影响晶体性能。因此, 氧含量的控制一直是AlN晶体生长工艺中的热点和难点。为了减少AlN晶体中的氧杂质含量, 通常在长晶之前使用粉料高温烧结工艺去除大部分的氧杂质。使用XRD及EGA等检测方法, 对不同烧结工艺下AlN烧结过程中坩埚盖处的......
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