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[会议论文] 作者：李鹏伟,郭旗,任迪远,于跃,王义元,高博,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
基于线阵商用CCD器件，开展了60Coγ射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。分别考察了CCD的功耗电流、复位电压，光响应灵敏度和电荷转移效率等参数的变化。结果表明所测量的...
[会议论文] 作者：王义元,陆妩,任迪远,郑玉展,高博,陈睿,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
为研究三端稳压器在60Co γ环境中的性能变化和抗总剂量特征,对电子系统中通用的集成三端稳压器(固定正输出L7805C、负输出L7905C、可调正输出LM317、可调负输出LM337)在不同负载条件下进行60Coγ电离辐照试验.试验结果发现稳压器的输出电压、最大负载电流等都......
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,王义元,李鹏伟,于跃,,
来源：原子能科学技术 年份：2009
通过比较不同模块的输出波形、不同源程序的功耗电流以及输出端口的高、低电平随总剂量的变化关系，研究了Altera SRAM型现场可编程门阵列（FPGA）器件在^60Coγ源辐照下的总剂量辐...
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,郭旗,余学峰,,
来源：原子能科学技术 年份：2009
介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地...
[期刊论文] 作者：王义元,陆妩,任迪远,郑玉展,高博,李鹏伟,于跃,,
来源：原子能科学技术 年份：2009
为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在^60Co γ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明：D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,...
[期刊论文] 作者：王义元,陆妩,任迪远,郑玉展,高博,李鹏伟,于跃,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器（D／A转换器）在不同偏置和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明：D／A转换器对偏置条件和辐照剂量率都很敏感。大剂量率......
[期刊论文] 作者：郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,郭旗,余学锋,,
来源：半导体学报 年份：2009
The elevated and room temperature annealing behavior of radiation damage in JFET-input operational amplifiers(op-amps)were investigated.High-and low-dose-rate i...
[会议论文] 作者：郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,陈睿,费武雄,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
对分别处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器进行了高低剂量率辐照.所获得的实验结果表明,工作状态影响着JFET 运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量......
[会议论文] 作者：高博, 余学峰, 任迪远, 刘刚, 王义元, 孙静, 文林, 李,
来源：中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第 年份：2009
...
[期刊论文] 作者：郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,郭旗,余学锋,何承发,,
来源：物理学报 年份：2009
影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射...
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,郭旗,余学峰,何承发,
来源：第十三届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2009
对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究.结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明显.不仅晶体管的过剩基极电流明显增大,直流...
[会议论文] 作者：陆妩,任迪远,郭旗,余学峰,何承发,郑玉展,王义元,
来源：第十三届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2009
对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究.结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明显.不仅晶体管的过剩基极电流明显增大,直流...
[会议论文] 作者：郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,郭旗,余学锋,何承发,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺，剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率下的辐射损伤特性，分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明国产NPN晶体管具有低剂量率辐照损伤敏感性增强效应，且发现小电流......
[会议论文] 作者：高博,王义元,李鹏伟,于跃,李茂顺,崔江维,余学峰,任迪远,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不...
[会议论文] 作者：陈睿,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,陆妩,任迪远,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加...
[会议论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,王义元,李鹏伟,于跃,李茂顺,崔江维,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不同源程序所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系，详细......
[会议论文] 作者：陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了初步的探讨.......
[会议论文] 作者：王义元[1]陆妩[2]任迪远[2]郑玉展[3]高博[3]李鹏伟[3]于跃[3],
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器(D/A转换器)在不同偏置条件和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明：D/A转换器对偏置条件和辐照剂量率都很敏...
[会议论文] 作者：郑玉展[1]陆妩[2]任迪远[2]王义元[1]郭旗[2]余学锋[2]何承发[2],
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺，剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率下的辐射损伤特性，分析了发射极尺寸对辐射损......
[会议论文] 作者：费武雄,赵云,郑玉展,王义元,陈睿,李茂顺,兰博,崔江维,王志宽,杨永晖,陆妩,任迪远,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件(基-射结反向偏置、正向偏置和零偏置)的电离辐射实验.结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异.基-射结反向偏...
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