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[期刊论文] 作者：雷红文,张红,王雪敏,赵妍,阎大伟,沈昌乐,吴卫东,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2013
ZnO是具有3.37 eV的宽禁带半导体材料,近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-xCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带的减小和增大。采用较为简单的一维K P势模型结合有效质量...
[期刊论文] 作者：王雪敏, 沈昌乐, 王瑜英, 黎维华, 彭丽萍, 雷红文, 吴卫,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
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[期刊论文] 作者：王雪敏, 阎大伟, 沈昌乐, 赵妍, 黎维华, 周民杰, 罗跃川,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2013
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[期刊论文] 作者：王雪敏,沈昌乐,王瑜英,黎维华,彭丽萍,雷红文,吴卫东,唐永,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
掺杂半导体中的载流子吸收在THz波段非常明显，其相互作用研究是研制THz通信中的关键器件之一的基础。采用氟化氪（KrF）脉冲准分子激光烧蚀沉积（PLD）技术，制备了Ni掺杂BaTiO3/SrTiO3......
[期刊论文] 作者：沈昌乐,王雪敏,黎维华,阎大伟,赵妍,罗跃川,彭丽萍,吴卫东,
来源：材料导报 年份：2013
综述了太赫兹QCL（THz QCL）有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展。THz QCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键...
[期刊论文] 作者：王雪敏,沈昌乐,王瑜英,黎维华,彭丽萍,雷红文,吴卫东,唐永建,,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
掺杂半导体中的载流子吸收在THz波段非常明显,其相互作用研究是研制THz通信中的关键器件之一的基础。采用氟化氪(KrF)脉冲准分子激光烧蚀沉积(PLD)技术,制备了Ni掺杂BaTiO3/S...
[报纸论文] 作者：王雪敏, 沈昌乐, 王瑜英, 黎维华, 彭丽萍, 雷红文, 吴卫东, 唐永建,,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
掺杂半导体中的载流子吸收在THz波段非常明显,其相互作用研究是研制THz通信中的关键器件之一的基础。采用氟化氪(KrF)脉冲准分子激光烧蚀沉积(PLD)技术,制备了Ni掺杂BaTiO3/S...
[期刊论文] 作者：王雪敏,阎大伟,沈昌乐,赵妍,黎维华,周民杰,罗跃川,彭丽萍,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2013
针对高电子迁移率晶体管（HEMT）器件，分析了双6掺杂GaAsHEMT的结构组成，基于固源分子束外延方法制备了双占掺杂GaAsHEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采...
[期刊论文] 作者：沈昌乐,王雪敏,黎维华,阎大伟,赵妍,罗跃川,彭丽萍,吴卫东,唐永建,,
来源：材料导报 年份：2013
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：王雪敏,阎大伟,沈昌乐,赵妍,黎维华,周民杰,罗跃川,彭丽萍,吴卫东,唐永建,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2013
针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结...
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