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[会议论文] 作者：王爱玲,毋志民,
来源：2011中国功能材料科技与产业高层论坛 年份：2011
作为第三代半导体材料的代表，GaN基半导体材料因有宽的直接带隙，高的击穿场强，高的热导率和非常好的物理、化学及热稳定性，成为制备短波长光电器件、高温器件和高频大功率器件的首选材料，采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法,在局域密度泛函近似下,计算了M......
[期刊论文] 作者：毋志民, 江金, 曾毅, 冯庆,,
来源：大学物理实验 年份：2011
从培养高水平创新型人才的教育目标出发，通过对物理实验教学体系、教学内容和考评体系的改革，建立了以学生为主体、教师为主导，分级、分层次的教学模式，大量开设创新研究型物理实......
[会议论文] 作者：毋志民,王爱玲,周明发,田健,熊建波,贾志林,
来源：第十六届全国原子与分子物理学术会议 年份：2011
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