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[期刊论文] 作者：苏乐, 王彩琳, 杨武华, 梁晓刚, 张超,
来源：物理学报 年份：2023
屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（SGT-MOSFET）在体内引入了纵向接源电极的屏蔽栅极,可以辅助耗尽漂移区,其耐压原理与沟槽MOSFET（VUMOSFET）不同.本文以110 V左右结构的SGTMOSFET为研究对象,通过数值仿真、理论分析以及解析建模,研究了不同结构的耐压原理以......
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