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[期刊论文] 作者：张侃,梁仁荣,徐阳,许军,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用减压化学气相淀积（RPCVD）技术在弛豫Si1-xGex虚拟衬底上赝晶生长应变硅层，以其为沟道材料制造得到的应变硅n-MOSFET表现出显著的性能提升。研究了通过改变Si1-xGex中Ge的摩...
[会议论文] 作者：梁仁荣,张侃,王敬,徐阳,许军,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χGeχ虚拟衬底上制备出具有低表面粗糙度和低...
[期刊论文] 作者：梁仁荣,王敬,徐阳,许军,李志坚,,
来源：材料研究学报 年份：2007
应用减压化学气相沉积技术，在弛豫Si0．7Ge0．3层／组分渐变Si1-xGex层／Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料，其中组分渐变Si1-xGex层Ge的摩尔分数X从0线性增加到0．2．对该复......
[期刊论文] 作者：李蔚,张志刚,梁仁荣,何洋,王柳笛,朱钧,
来源：半导体学报 年份：2007
对纳米晶器件,尤其是MOS电容进行了横截面TEM分析和不同条件下的电学特性（C-V特性）测量,包括＋/-BT分析. 揭示了系统的纳米晶存储物理机制,例如电荷俘获、界面态填充和温度特性....
[期刊论文] 作者：李蔚,张志刚,梁仁荣,何洋,王柳笛,朱钧,,
来源：半导体学报 年份：2007
对纳米晶器件,尤其是MOS电容进行了横截面TEM分析和不同条件下的电学特性(C-V特性)测量,包括+/ -BT分析.揭示了系统的纳米晶存储物理机制,例如电荷俘获、界面态填充和温度特...
[期刊论文] 作者：梁仁荣,张侃,杨宗仁,徐阳,王敬,许军,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征，这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge浓...
[期刊论文] 作者：刘佳磊,梁仁荣,王敬,徐阳,许军,刘志弘,,
来源：Tsinghua Science and Technology 年份：2007
The paper describes the growth of a germanium (Ge) film on a thin relaxed Ge-rich SiGe buffer. The thin Ge-rich SiGe buffer layer was achieved through a combina...
[期刊论文] 作者：梁仁荣,张侃,杨宗仁,徐阳,王敬,许军,,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge...
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