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[期刊论文] 作者：卢国纶,,
来源：武汉文史资料 年份：2005
2005年第4期和第7期刊载了李肇基先生的两篇文章,一篇是,一篇是.两文涉及父亲卢作孚的多处内容与事实严重不符,存在许多问...
[期刊论文] 作者：李肇基,
来源：武汉文史资料 年份：2005
拜会刘、邓首长1949年7月,赵忍安(中共地下党员,我与之交往密切,武汉解放后公开身份)又约我和夏鹤雏(畜产公司经理)去谒见刘伯承司令员和邓小平政委....
[期刊论文] 作者：李肇基,
来源：武汉文史资料 年份：2005
宋美龄和蒋介石入川1936年,宋美龄和蒋介石先后搭乘"民主"轮赴渝,其目的恐怕是看看沿江形势,特别是军事上的重要形势.民生总公司当然发出指示全面布置一切,"民主"轮的经理是...
[期刊论文] 作者：李肇基,,
来源：纵横 年份：2005
总公司事务的处理1950年冬至1951年,重庆传来消息,杨亚仙、冉庆之、陶建中先后被镇压,船上事务长萧怀柱(青年党人)亦被枪决,重庆市青年党主要成员郭经虞被捕.业务处副经理袁...
[期刊论文] 作者：李肇基,崔礼生,
来源：中国粉体工业 年份：2005
碳酸钙，分了式为CaCO3．白色粉末．无臭无味，具有无定型和结晶两种形态。晶型又可分为斜方晶系、六方晶系。可呈柱状，针状．链状、棱状，菊花状、片状、纺锤状、球状、立方体等。难溶于......
[期刊论文] 作者：李肇基,崔礼生,
来源：中国粉体工业 年份：2005
合成石又称人造石、再造石，是八十年代推出的新型装饰材料。目前这种装饰材料在中国非常流行。...
[期刊论文] 作者：李琦,张波,李肇基,
来源：半导体学报 年份：2005
提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压解析模型．通过分区求解二维Poisson方程，获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式．借助此模型研究击穿电压与器件...
[期刊论文] 作者：段宝兴,张波,李肇基,
来源：半导体学报 年份：2005
提出了一种具有P型埋层的PSOI器件耐压新结构，称为埋层PSOI（BPSOI）．其耐压机理是，通过P型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场分布中产生新的峰而使击穿电压提高；P型埋层的......
[期刊论文] 作者：段宝兴,张波,李肇基,
来源：半导体学报 年份：2005
提出了一种阶梯埋氧型SOI（SBOSOI）RESURF器件结构，并解释了该结构的场调制耐压机理，通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性，优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系，得出阶梯数为3时......
[期刊论文] 作者：陈捷,张波,李肇基,
来源：电网与水力发电进展 年份：2005
限流模块是电源开关和电源管理芯片中保护电路的重要组成部分.它可以保护和防止芯片内部的功率器件免受大电流的冲击,增加电路带负载的能力.把限流模块集成在芯片内部,免除了...
[期刊论文] 作者：李泽宏,张波,李肇基,
来源：电子与信息学报 年份：2005
该文提出了短沟DMOS阈值电压模型。基于沟道区耗尽电荷的二维分布,计算沟道区中耗尽电荷总量,由此给出短沟DMOS阈值电压模型的计算式。该模型的解析解与二维仿真器MEDICI的数值解吻合。分析表明,DMOS沟道长度小于0.80μm,就应考虑短沟效应。......
[期刊论文] 作者：罗小蓉,张波,李肇基,
来源：电子科技大学学报 年份：2005
研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理.采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度.该方法用于SiC器件的表面处理,在100℃以下制备了理想...
[期刊论文] 作者：李泽宏,张波,李肇基,
来源：微电子学 年份：2005
提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型.基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压模型的解析式.该模型的解析解与实验结果和...
[期刊论文] 作者：李强,易俊,李肇基,张波,
来源：Journal of Electronic Science and Technology of China 年份：2005
A novel frequency compensation technique for three-stage amplifier with dual complex pole-zero (DCP) cancellation is proposed. It uses one pair of complex zeros...
[期刊论文] 作者：魏汝新,魏福立,李肇基,
来源：半导体技术 年份：2005
介绍了一种宽带CMOS运算放大器的设计,通过对其S域传输函数的分析,设计合理的补偿办法,分析了影响电路传输函数的因素,在各种条件下研究了电路偏置的稳定性,最后得到了一种比...
[期刊论文] 作者：袁涛,王华,方健,李肇基,,
来源：微电子学 年份：2005
提出了一种结构简单的CMOS电流控制模式振荡器。该电路充分利用系统内部基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电,在5 V电源电压下,经过控制电路作用后,上升时间和下降时间...
[期刊论文] 作者：牛全民, 罗萍, 张波, 李肇基,
来源：电力电子技术 年份：2005
基于Boost变换器,利用状态空间平均法对一种新的调制模式--跨周调制(Pulse Skipping Modulation;简称PSM)进行建模和特性分析,推导出电感电流连续(CCM)和电感电流断续(DCM)时...
[期刊论文] 作者：王顺平,罗萍,熊富贵,李肇基,
来源：微电子学 年份：2005
文章提出了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的功率变换的模糊型跨周调制模式(FPSM,Fuzzy Pulse Skip Modulation)的实现方法,并将其应用于单端反激式开关电源的功率变换系统....
[期刊论文] 作者：方健,易坤,李肇基,张波,
来源：半导体学报 年份：2005
建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型．该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响，获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布．基于该模型可以计算出高压RESURF LD...
[期刊论文] 作者：雷宇,方健,张波,李肇基,
来源：半导体学报 年份：2005
设计实现SOI基上带有D／A驱动的高压LDMOS功率开关电路，利用D／A变换的灵活性，运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法，实现数字控制的耐压为300V的LDMOS功率开关电路．该功率集成电......
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