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[期刊论文] 作者：康耀辉,林罡,李拂晓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
应用Au/Ge/Ni系金属在InAlAs/InGaAs/InP HEMT上成功制作了良好的合金欧姆接触。采用WN和Ti双扩散阻挡层工艺优化欧姆接触,在样品上获得了最低9.01×10-8Ω.cm2的比接触...
[期刊论文] 作者：曹敏华,李拂晓,林金庭,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
研制中心频率为18GHz的振荡型有源集成天线，包括微带天线设计、单片压控振荡器（MMIC VCO）的设计及微带天线与单片压控振荡器二者的集成。微带天线的芯片面积为4．5mm×3．5mm，增......
[期刊论文] 作者：郑惟彬,李拂晓,李辉,沈亚,潘晓枫,沈宏昌,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
借助于传统的FET等效电路模型，给出了0．25μm GaAs PHEMT的开关模型，并在ICCAP和ADS软件中，完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀单掷（SPST）开关的仿真和测试，表明，在0．1～20GHz的......
[期刊论文] 作者：焦世龙,叶玉堂,陈堂胜,杨先明,李拂晓,邵凯,吴云峰,,
来源：光电子.激光 年份：2008
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺，研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm，电容为0．25pF，10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-...
[期刊论文] 作者：铁宏安,李拂晓,李向阳,冯晓辉,姚祥,魏倩,张斌,翁长羽,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
采用上海华虹NEC 0．35μm标准CMOS工艺进行RF CMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明，在2．1GHz时，输入驻波比1．1，输出驻波比1．5，增益18dB，噪声系数2．7dB，P-1dB输出功率9dBm。......
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