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[学位论文] 作者：李哲洋,,
来源： 年份：2012
SiC材料作为一种第三代半导体材料,因其具有禁带宽度大(3.2ev),耐击穿电场强(2.2×106V/cm),饱和电子迁移速度高(2.0×107cm/s),热导率高(4.9W/cmK)和化学稳定性好等优异的物...
[学位论文] 作者：李哲洋,
来源：南京大学 年份：2012
SiC材料作为一种第三代半导体材料，因其具有禁带宽度大(3.2ev)，耐击穿电场强(2.2×106 V/cm)，饱和电子迁移速度高（2.0×107cm/s），热导率高(4.9W/cm K)和化学稳定性好等优异的物理化...
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