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[会议论文] 作者：李哲洋,董逊,柏松,陈刚,陈堂胜,陈辰,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长...
[会议论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管....
[会议论文] 作者：陈刚;柏松;张涛;汪浩;李哲洋;陈雪兰;蒋幼泉;,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配...
[会议论文] 作者：陈刚,李拂晓,邵凯,张震,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,黄念宁,陈辰,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果:在2 GHz频...
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