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[期刊论文] 作者：李仁安,,
来源：宁夏大学学报(人文社会科学版) 年份：2010
＂土墼＂、＂拔垒＂是宁夏方言中的习见词语。在古代文献中曾被大量使用过,是汉语古语词在现代汉语方言中的保留。＂土墼＂、＂拔垒＂是古老的建筑材料。＂土墼＂、＂拔垒＂二词古今词义没有变化。...
[期刊论文] 作者：许田,解霞,方靖淮,
来源：南通大学学报：自然科学版 年份：2010
采用转移矩阵方法（ATMM）得到精确的透射和反射系数，并且把它应用到高于势垒高度的量子反射问题中．通过计算阶跃指数衰减势垒和平方势垒，发现用ATMM得到的结果要比用WKB近似法得到...
[期刊论文] 作者：Cesa Chan,Ken Hover,,
来源：建筑砌块与砌块建筑 年份：2010
美国ASTMC 1262标准《评价干垒挡墙砌块和相关混凝土块材抗冻性试验方法》,是专门用于评估干垒挡墙混凝土砌块在经多次冻融循环后其耐久性能的标准测试方法。...
[期刊论文] 作者：夏静,
来源：今日教育：当代幼教 年份：2010
我们计划用竞争意识调动孩子垒高的兴趣，作为其动力，让幼儿自由选择结伴，组成4个小...
[会议论文] 作者：于惠游[1]杨丽媛[2]全思[3]马晓华[4]王冲[2]张进城[2]郝跃[4],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,因此薄势垒器件更易于实现增强型。栅长0.5...
[会议论文] 作者：张宁,姬小丽,刘乃鑫,刘喆,王军喜,
来源：第七届中国国际半导体照明论坛 年份：2010
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，在蓝宝石衬底上外廷生长以InGaN傲垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性。...结果表明，材料界面的质量变化不大，但利用InGaN做垒光致发光的峰值强麦增强、峰位蓝移，样品中V坑的数目及相应的位错减少。对两种结构的LED进行电学测量得知。...InGaN垒样品的droop现象得到极大的改善，这表明阱垒之间...
[会议论文] 作者：王强,李树强,王成新,曲爽,徐现刚,
来源：第七届中国国际半导体照明论坛 年份：2010
本文设计了一种特定波长(540nm)具有非对称量子垒的InGaN 量子阱(QW)，通过数值模拟，得到量子阱区域的能带图、电子电流分布以及输出功率和内量子效率的分析。...与传统的InGaN QW相比较，使用非对称垒的QW结构。器件的漏电流明显降低。输出功率、内量子效率均有提高，而且内量子效率的Droop现象也得到抑制。...
[期刊论文] 作者：曾东皓,
来源：成铁科技 年份：2010
本文着重介绍了成灌线运行图特点，分析了成灌线运行图现状及优化措施，提出了编制市域铁路运行图的规律、思路、方法。...
[会议论文] 作者：张宁;姬小利;刘乃鑫;刘喆;王军喜;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统,在蓝宝石衬底上分别外延生长以InGaN和GaN为垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特...
[期刊论文] 作者：丁国建,郭丽伟,邢志刚,陈耀,徐培强,贾海强,周均铭,陈弘,,
来源：物理学报 年份：2010
在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改...
[期刊论文] 作者：贾国治,姚江宏,何进密,于沛,
来源：发光学报 年份：2010
为了理解在三势垒结构中准束缚能级Ez和隧穿寿命对磁场的依赖性,采用传输矩阵的方法研究了在三势垒结构中的共振隧穿过程。分别研究了在三势垒结构中的透射几率特征和隧穿寿...
[期刊论文] 作者：袁秀兰,
来源：课外生活 年份：2010
过ɡuò大dà年nián、垒lěi旺wànɡ火huǒ,是shì我wǒ们men家jiā乡xiānɡ的de传chuán统tǒnɡ习xí俗sú。...每měi年nián过ɡuò年nián的de时shí候hou,家jiā家jiā户hù户hù都dōu会huì垒lěi旺wànɡ火huǒ,以yǐ...
[期刊论文] 作者：陈雷锋,季振国,糜裕宏,毛启楠,
来源：强激光与粒子束 年份：2010
以界面势垒对碳纳米管（CNT）场发射的影响为研究目的，在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层，以二氧化硅层作为绝缘势垒，然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT，来研究二氧化硅绝缘势垒层对CN...
[学位论文] 作者：王理想,,
来源：河南大学 年份：2010
基于肖特基势垒的器件在近年来展现出优异的性能,对势垒的调控和发展肖特基势垒器件在新领域中的应用是当今研究的热点。在本论文中,我们分别探索了几种有效调控势垒和光响应...
[期刊论文] 作者：刘畅,杜建东,,
来源：建筑砌块与砌块建筑 年份：2010
美国混凝土砌体协会(NCMA)发布TEK15-18A结构类(2009)适用于构筑物和硬景观简介干垒挡土墙是一种模块化的挡土墙形式,主要应用于有垂直梯度变化的场合。...
[期刊论文] 作者：贾国治,姚江宏,何进密,于沛,,
来源：发光学报 年份：2010
为了理解在三势垒结构中准束缚能级Ez和隧穿寿命对磁场的依赖性,采用传输矩阵的方法研究了在三势垒结构中的共振隧穿过程。分别研究了在三势垒结构中的透射几率特征和隧穿寿...
[期刊论文] 作者：,
来源：建筑砌块与砌块建筑 年份：2010
住宅庭院用干垒挡墙,墙高最大可达36英寸。砌块被凿刻、劈裂出的表面纹理近似于石材,给人一种自然、干净的感觉。这种美观、实用的砌块,不但可以用来建造直线型和曲面形的挡...
[期刊论文] 作者：刘建元,张晓泳,周科朝,,
来源：中国有色金属学报 年份：2010
在采用改进的Monte Carlo方法模拟正常晶粒的长大过程时,考虑到实际晶粒长大过程中物质状态跃迁需克服一定能垒,把跃迁能垒引入到状态跃迁概率计算中,使模拟过程所含物理意义...
[期刊论文] 作者：谭晓湘,
来源：成铁科技 年份：2010
本文通过分析成昆线成一燕段运输设备现状，运输组织的困难，提出提高该区段改善卸车组织工作的建议和方案。...
[会议论文] 作者：胡晓龙,张江勇,张保平,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
采用金属有机物化学气相沉积(MOVCD)技术制备了不同GaN垒层厚度的InGaN单量子阱。...低温PL测量发现，随着GaN垒层厚度的增加，InGaN量子阱的发光峰位发生了明显的红移；同时，激子与纵光学声子间的耦合强度也逐渐增强。...进一步分析表明，以上现象主要源于GaN垒层厚度变化引起的量子阱中应力的改变。...
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