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[期刊论文] 作者：时凯居,李睿,李长富,王成新,徐现刚,冀子武,
来源：物理学报 年份：2022
光学带隙或禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参数.?本文以3个具有代表性的InGaN/GaN多量子阱结构作为研究对象,?深入探讨了荧光法测定某个目标温度下InGaN阱层的光学带隙所需要满足的测试条件.?由于InGaN阱层是一种多元合金且受到来自GaN垒层的应力作用,?所......
[期刊论文] 作者：张家鑫,彭燕,陈秀芳,谢雪健,杨祥龙,胡小波,徐现刚,
来源：人工晶体学报 年份：2022
SiC作为代表性的第三代半导体材料，具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展，SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言，SiC衬底质量还有很大的改善空间，是现......
[期刊论文] 作者：仲光磊,胡国杰,王鹤静,谢雪健,杨祥龙,彭燕,陈秀芳,胡小波,徐现刚,
来源：硅酸盐学报 年份：2022
晶体生长初期成核阶段的籽晶表面变化对后续晶体生长质量具有重要影响。采用光学显微镜对SiC生长初期的表面和微管形貌进行观察。在8×10~4Pa、1800～2100℃生长条件下，籽晶表面出现了原子迁移产生的台阶。同时发现微管会严重干扰正常台阶流的运动，并且微管处会形成......
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