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[期刊论文] 作者：肖龙飞, 徐现刚,,
来源：强激光与粒子束 年份：2019
碳化硅作为第三代宽禁带半导体的核心材料之一,相对于传统的硅和砷化镓等半导体材料,具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高,热导率高、临界击穿、场强高等诸多优异的性质。...
[期刊论文] 作者：朱振, 任夫洋, 邓桃, 夏伟, 徐现刚,
来源：光电子·激光 年份：2019
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