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[会议论文] 作者：徐现刚,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
SiC材料作为第三代宽禁带半导体材料的代表,具有优良的物理性质和广阔的应用前景.本报告简单介绍了SiC材料的结构和基本性质,综述其在电力电子、光电子和微波器件中应用和其器件生产过程,回顾了晶体生长的历史,介绍现阶段PVT生长方法和LPE方法的进展.重点展示国......
[会议论文] 作者：徐现刚,田亮光,
来源：2015中国珠宝首饰学术交流会 年份：2015
合成碳化硅(SiC)由于其良好的导热性和高硬度被视为钻石的最佳替代品.山东大学通过PVT法制备了高质量2至6英寸直径的SiC晶体,并通过对掺杂技术的研究和摸索,成功获得了无色、...
[期刊论文] 作者：于果蕾,杨扬,徐现刚,,
来源：中国激光 年份：2015
采用高折射率的SiC晶体材料,作为布氏片的选频器件,实现了单纵模绿光激光器的稳定工作,输出功率达120 mW。通过理论分析和实验证明,相较于现有的采用K9玻璃,采用高折射率的Si...
[期刊论文] 作者：于果蕾,杨扬,徐现刚,
来源：中国激光 年份：2015
采用高折射率的SiC 晶体材料，作为布氏片的选频器件，实现了单纵模绿光激光器的稳定工作，输出功率达120 mW。通过理论分析和实验证明，相较于现有的采用K9 玻璃，采用高折射率的SiC 晶体作为选频器件，使整个光学系统更容易调节，且器件工作更加稳定，更易实现商品化。......
[期刊论文] 作者：于果蕾,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
研究了采用光纤微透镜作为半导体激光器光斑快轴压缩透镜的方法。通过在光纤的两个对称侧弧面镀制增透膜,减少了光纤微透镜对光的反射,其反射率由原来的4%降低到0.3%以下,有...
[期刊论文] 作者：左致远,夏伟,王钢,徐现刚,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
We demonstrate and introduce here a pyramidally patterned metal reflector into wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes(LEDs) to improve the light extraction...
[期刊论文] 作者：朱振,张新,李沛旭,王钢,徐现刚,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
Ga In As P layers and Ga As P/(Al) Ga In P laser diodes(LDs) have been grown on Ga As substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The Ga In As P layer...
[会议论文] 作者：张福生,彭燕,徐现刚,胡小波,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
采用无催化剂的铝粉和氧化硅片为原料，通过置换还原反应法在氧化硅片上生长了α-Al2O3纳米线。分别采用了X射线衍射(XRD)分析、拉曼光谱(Ramanspectra)分析、扫描电子显微...
[期刊论文] 作者：张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚,
来源：人工晶体学报 年份：2015
使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响。原子力显微镜(...
[期刊论文] 作者：张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(...
[期刊论文] 作者：崔潆心,徐明升,徐现刚,胡小波,,
来源：无机材料学报 年份：2015
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C（0001）面上采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转......
[期刊论文] 作者：张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGN/GaN高电子迁移率晶体管.研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响.原子力显微镜(AFM...
[期刊论文] 作者：张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED.研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响.光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Ra...
[期刊论文] 作者：杨扬,孙素娟,李沛旭,夏伟,徐现刚,,
来源：半导体技术 年份：2015
采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种...
[会议论文] 作者：杨样龙,徐现刚,胡小波,陈秀芳,彭燕,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
采用物理气相传输法,通过调节SiC生长过程中通入生长腔的N2流量(N2/(N2+Ar)-0～10％),改变晶体生长前沿的N分压,获得了不同掺N浓度的SiC单晶.采用二次离子质谱法对其N掺入量进行测试,得出了掺N浓度与生长气氛中N分压的关系.利用霍尔测试仪及非接触电阻率测试仪对其......
[期刊论文] 作者：郁万成,陈秀芳,孙丽,胡小波,徐现刚,赵显,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
使用热解法在4H-SiC硅面制备出单层石墨烯,而后将石墨烯置于氢气气氛下退火,使氢插入到缓冲层与SiC衬底之间。利用X射线光电子能谱对氢插入后的化学键变化进行了表征。样品的碳1s能谱中碳元素由SiC衬底、石墨烯及缓冲层共同构成。对不同氢气退火温度下各组分的......
[会议论文] 作者：谢雪健,陈秀芳,彭燕,崔潆心,胡小波,徐现刚,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
采用物理气相传输法(PVT)生长了不同直径的SiC单晶。使用多线切割机、双面研磨机、双面抛光机对SiC晶体进行了切割、研磨和抛光处理，得到了SiC单晶衬底。...
[期刊论文] 作者：梁庆瑞,宗艳民,王希杰,陈秀芳,徐现刚,胡小波,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
研究了金刚石微粉对碳化硅晶片表面机械抛光质量及去除率的影响。选取粒径均为W0.5~1μm、粒径分布和形貌不同的3种金刚石微粉,配置3种Si C单晶片机械抛光液。通过纳米粒度仪...
[期刊论文] 作者：梁庆瑞,胡小波,陈秀芳,徐现刚,宗艳民,王希杰,
来源：人工晶体学报 年份：2015
研究了一种新型的化学机械抛光方法，使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液（SOAS）进行化学机械抛光。研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中，SOAS溶液中KMnO。...
[期刊论文] 作者：梁庆瑞,胡小波,陈秀芳,徐现刚,宗艳民,王希杰,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO 4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光。研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KM...
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