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[期刊论文] 作者：杨亲民,卢利平,,
来源：功能材料信息 年份：2008
徐现刚男,1965年1月出生,山东泰安人,中共党员。1986年7月毕业于山东大学物理专业,获学士学位;1986年9月～1989年7月在山东大学凝聚态物理专业攻读并获硕士学位;1992年7月获山...
[期刊论文] 作者：李娟,胡小波,高玉强,王翎,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2008
采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明，在低温下，AlN单晶显露面为（0001）面，随着温度的升高，AlN单晶显露面转化为......
[期刊论文] 作者：刘金锋,刘忠良,任鹏,徐彭寿,陈秀芳,徐现刚,,
来源：物理化学学报 年份：2008
利用固源分子束外延（SSMBE）生长技术,在1350K的衬底温度下,通过改变Si束流强度,在6H-SiC（0001）面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜,并用反射高能电子衍射（RHEED）与光...
[期刊论文] 作者：李沛旭,夏伟,李树强,张新,汤庆敏,任忠祥,徐现刚,,
来源：半导体技术 年份：2008
设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,...
[会议论文] 作者：冯志宏,尹甲运,刘波,王勇,冯震,蔡树军,徐现刚,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω/U,标准偏差3.59％。2.5 mm栅宽GaN微波功率器...
[会议论文] 作者：冯志宏,尹甲运,刘波,王勇,徐现刚,冯震,蔡树军,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω/U,标准偏差3.59％。2.5 mm栅宽GaN微波功率器件8 GHz最大连续波输出功率达到20 W,增益7 dB,附加效率达到42％,实现国产SiC衬底上的GaN......
[期刊论文] 作者：朱学亮,曲爽,刘存志,李树强,夏伟,沈燕,任忠祥,徐现刚,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
利用MOCVD在SiC衬底上采用AIN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303”和311”,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度是0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄膜的粗糙度。采用不同厚度......
[期刊论文] 作者：武煜宇,刘金锋,孙柏,刘忠良,徐彭寿,陈秀芳,徐现刚,
来源：核技术 年份：2008
本文利用同步辐射光电子能谱（SRPES）和X射线光电子能谱（XPS）对金属Mn在6H—SiC（0001）表面的生长模式和Mn／6H-SiC（0001）界面进行了研究。实验结果表明，常温下金属Mn在6H—SiC（0001）表面上......
[会议论文] 作者：徐现刚,高玉强,宁丽娜,彭燕,陈秀芳,胡小波,蒋民华,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
自主研发出碳化硅单晶生长炉,采用升华法生长出微管密度达到1个/cm2的2英寸6H-SiC单晶。加工得到开盒即用(epi-ready)的半绝缘和n型6H-SiC衬底,晶片质量均匀性好,5点测量平均半峰宽(FSWHM)小于30 arcsec。半绝缘衬底上生长出AlGaN/GaN HEMT四胞内匹配器件在8GHz......
[期刊论文] 作者：孙柏,李锐鹏,赵朝阳,徐彭寿,张国斌,潘国强,陈秀芳,徐现刚,,
来源：无机材料学报 年份：2008
利用脉冲激光淀积（PLD）技术在6H—SiC单晶衬底上制备了ZnO薄膜．利用X射线衍射（XRD），反射式高能电子衍射（RHEED）和同步辐射掠入射X射线衍射（SRGID）垂扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构．......
[会议论文] 作者：李沛旭[1]夏伟[1]李树强[1]张新[2]汤庆敏[2]任忠祥[2]徐现刚[1],
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
设计制作了非对称宽波导结构的无铝量子阱激光器,降低了内部损耗,实现了低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延...
[期刊论文] 作者：俞斐,吴军,韩平,王荣华,葛瑞萍,赵红,俞慧强,谢自力,修向前,徐现刚,张荣,郑有炓,
来源：中国激光 年份：2008
用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy合金的晶体结构。SEM结果显示6H-SiC外延层上......
[期刊论文] 作者：俞斐,吴军,韩平,王荣华,葛瑞萍,赵红,俞慧强,谢自力,徐现刚,陈秀芳,张荣,郑有炓,,
来源：半导体技术 年份：2008
用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)...
[会议论文] 作者：俞斐,陈秀芳,张荣,郑有炓,吴军,韩平,王荣华,葛瑞萍,赵红,俞慧强,谢自力,徐现刚,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学腐蚀测电容-电压(eCV-profile)以及俄歇电了能谱(AES)等方法对所得的样晶进行了表征测量。XRD衍射谱仅显示单一......
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