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[期刊论文] 作者:彭川宇, 来源:经济问题探索 年份:2003
当今的时代是知识经济的时代,企业的发展越来越离不开研究开发类人才,于是如何管理这类人才便成为企业管理者迫切需要解决的问题.本文对企业研究开发类人才的管理制度模式设...
[期刊论文] 作者:彭川生, 来源:中共乐山市委党校学报 年份:2003
今年以来,我局针对现阶段在工作作风、体制机制等方面存在的突出问题,作出了将纪检监察工作推向前沿阵地,依托IDO9000国际质量管理体系;强化行政效能监察的决定,并将它作为我...
[期刊论文] 作者:彭川宇, 来源:西南交通大学学报(社会科学版) 年份:2003
[关键词] 政治经济学;教学改革;教学形式  [摘 要] 为了提高“马克思主义政治经济学原理”课程教学的实效性、针对性和主动性,应从教学形式多样化,教学内容理论与现实相结合,考核形式多样化,老师多与学生沟通等几个方面进行改革。  [中图分类号]G64  [文献标......
[期刊论文] 作者:刘海燕,陈高波,彭川, 来源:西南交通大学学报 年份:2003
采用极大熵解法,将多目标规划转化为一般的可微规划.鉴于转化后的目标函数和约束条件都是高度非线性的,采用遗传算法求解多目标规划.取已有的典型算例运用文中提出的方法,得...
[期刊论文] 作者:彭川,Ryan E.Murphy,Michael H.Lim, 来源:光散射学报 年份:2003
一种新型的采用AlGaAs材料设计制成的光波导显示了其在中红外激光器方面的应用.波导部分包含在两个GaAs的包层之间,两个包层的掺杂材料限制光场在波导中传播并且降低损耗.三...
[期刊论文] 作者:彭川,Ryan,E.Murphy,Michael,H.Lim, 来源:光散射学报 年份:2003
一种新型的采用AlGaAs材料设计制成的光波导显示了其在中红外激光器方面的应用.波导部分包含在两个GaAs的包层之间,两个包层的掺杂材料限制光场在波导中传播并且降低损耗.三...
[期刊论文] 作者:彭川,Brian,Ishaug,Jae,Um,Chih-Hs, 来源:四川大学学报:自然科学版 年份:2003
在210K的温度下,5.2μm的量子级联激光器在CW运转下输出光功率高于5 mW,利用温差电致冷器件即可达到此温度.将激光器放置于铜块上,在210K时,它的热阻抗约为10K/W.使用实验测...
[期刊论文] 作者:彭川,Han,Q.Le,B.Ishaug,J.Um,Jame, 来源:光散射学报 年份:2003
本文研究了由InGaAs/InAlAs材料组成,波长为4.6和5.1微米的量子级连中红外半导体激光器的光栅外耦合谐振腔的特性.在温度是80K时波长可调制宽度是激光中心波长的1.5%左右.对...
[期刊论文] 作者:彭川,LE,H,Q,SARANGAN,A,M,ISHAUG,, 来源:重庆邮电学院学报:自然科学版 年份:2003
窄带宽的AlGaAs/GaAs布拉格光栅耦合到InP的半导体量子级联激光器从而产生稳定的激光频谱,其激光谱线宽度在1纳米左右.如果不加光栅,非稳定的自由激射的激光器的谱线宽度有30...
[期刊论文] 作者:彭川,Brian Ishaug,Jae Um,Chih-Hsiang Lin, 来源:四川大学学报(自然科学版) 年份:2003
在210K的温度下,5.2μm的量子级联激光器在CW运转下输出光功率高于5mW,利用温差电致冷器件即可达到此温度.将激光器放置于铜块上,在210K时,它的热阻抗约为10K/W.使用实验测量...
[期刊论文] 作者:彭川,Han Q.Le,B.Ishaug,J.Um,James N.Baillargeon, 来源:光散射学报 年份:2003
本文研究了由InGaAs/InAlAs材料组成,波长为4.6和5.1微米的量子级连中红外半导体激光器的光栅外耦合谐振腔的特性。在温度是80K时波长可调制宽度是激光中心波长的1.5%左右。...
[期刊论文] 作者:彭川,LE H Q,SARANGAN A M,ISHAUG, 来源:城市道桥与防洪 年份:2003
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者:彭川,Ryan E.Murphy,Michael H.Lim,Han Q.Le, 来源:光散射学报 年份:2003
一种新型的采用AlGaAs材料设计制成的光波导显示了其在中红外激光器方面的应用。波导部分包含在两个GaAs的包层之间,两个包层的掺杂材料限制光场在波导中传播并且降低损耗。...
[期刊论文] 作者:彭川宁,刘星桥,陈家斌,谢玲, 来源:计算机测量与控制 年份:2003
以惯性导航系统显示控制装置为研究对象,分析了它的电磁兼容性.归纳出它的主要干扰源、电磁耦合途径、敏感器件,结合电磁兼容的基本原理并有针对性的采取了改进措施.测试结果...
[期刊论文] 作者:彭川,LE H Q,Sarangan A M,Ishaug B,Thompson L, 来源:重庆邮电学院学报(自然科学版) 年份:2003
窄带宽的 Al Ga As/ Ga As布拉格光栅耦合到 In P的半导体量子级联激光器从而产生稳定的激光频谱 ,其激光谱线宽度在 1纳米左右。如果不加光栅 ,非稳定的自由激射的激光器的...
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