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Formation of the intermediate semiconductor layer for the Ohmic contact to silicon carbide using Ger
[期刊论文] 作者：郭辉,王悦湖,张玉明,乔大勇,张义门,
来源：Chinese Physics B 年份：2020
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[期刊论文] 作者：戚军军,吕红亮,张玉明,张义门,张金灿,
来源：红外与毫米波学报 年份：2020
提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路。在所采用的模型中考虑了分布式基极-集...
Characteristic enhancement in tunnel field-effect transistors via introduction of vertical graded so
[期刊论文] 作者：吕智军,吕红亮,张玉明,张义门,芦宾,朱翊,孟凡康,孙佳乐,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
A novel vertical graded source tunnel field-effect transistor(VGS-TFET)is proposed to improve device performance.By introducing a source with linearly graded co...
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