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[期刊论文] 作者：程萍,张玉明,张义门,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与VSi有关的电中性微观本征缺陷（VSi、VC-VSi、VC-C、VSi-Si）的超晶胞进行计算。结果发现：0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺...
[期刊论文] 作者：程萍,张玉明,张义门,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本...
[会议论文] 作者：程萍,李永平,张玉明,张义门,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法，计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有(1/c)本征缺陷的电子结构，分析了其能带结构和电子态分布。计算结果表明：K会引入新的杂质能级，与其成键......
[会议论文] 作者：程萍,张玉明,张义门,李永平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法，计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有(1/c)本征缺陷的电子结构，分析了其能带结构和电子态分布。计算结果表明：K会引入新的杂质能级，与其成键的Si原子是形成该杂质能级的主要因素且该四个Si原子对该能级的贡献相同。......
[期刊论文] 作者：张倩,张玉明,元磊,张义门,汤晓燕,宋庆文,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
In this paper we report on a novel structure of a 4H-SiC bipolar junction transistor with a double base epilayer that is continuously grown.The measured dc comm...
[期刊论文] 作者：陈丰平,张玉明,张义门,汤晓燕,王悦湖,陈文豪,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
The current-voltage characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky(JBS) diodes terminated by an offset field plate have been measured in the temperature ra...
[期刊论文] 作者：许俊瑞,吕红亮,张义门,张玉明,张金灿,宁旭斌,,
来源：微电子学 年份：2012
主要对InP/InGaAs异质结进行数值仿真。考虑到异质结界面存在导带不连续和价带不连续,在流体动力学模型的基础上,采用热电子发射模型和隧穿模型,对异质结的直流特性进行仿真...
Investigation of a 4H-SiC metal-insulation-semiconductor structure with an Al_2O_3/SiO_2 stacked die
[期刊论文] 作者：汤晓燕,宋庆文,张玉明,张义门,贾仁需,吕红亮,王悦湖,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
Atomic layer deposited(ALD) Al2O3 /dry-oxidized ultrathin SiO2 films as a high-k gate dielectric grown on 8°off-axis 4H-SiC(0001) epitaxial wafers are investig...
Comparison of the formation process and properties of epitaxial graphenes on Si- and C-face 6H-SiC s
[期刊论文] 作者：王党朝,张玉明,张义门,雷天民,郭辉,王悦湖,汤晓燕,王航,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
In this paper,the epitaxial graphene layers grown on Si-and C-face 6H-SiC substrates are investigated under a low pressure of 400 Pa at 1600 C.By using atomic f...
[会议论文] 作者：Xubin Ning,宁旭斌,Hongliang Lv,吕红亮,Yuming Zhang,张玉明,Yimen Zhang,张义门,Qiangsheng Cui,崔强生,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电子气的影响。在对InAs/AlSb材料的能带结构分析研究的基础上,可以通过在InAs沟道上下两层的......
[会议论文] 作者：Yinghui Zhong,钟英辉,Yuming Zhang,张玉明,Yimen Zhang,张义门,Hongliang Lu,吕红亮,Jincan Zhang,张金灿,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文基于0.15μm栅长的lnP HEMT器件工艺研制出了一款工作在W波段的低噪声放大器。因为Cascode结构具有输出阻抗大、反向隔离度好、Miller效应小、增益大的优点,本设计采用Cascodc拓扑结构。共面波导和Cascode结构单元布局兼容,并且不需要减薄和背金,本设计选取......
[会议论文] 作者：Yongle Lou,娄永乐,Yuming Zhang,张玉明,Daqing Xu,徐大庆,Hui Guo,郭辉,Yimen Zhang,张义门,Yuchen Li,李妤晨,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现，利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.42......
[会议论文] 作者：Jincan Zhang,Yuming Zhang,Hongliang Lv,Yimen Zhang,Wei Zhou,Min Liu,张金灿,张玉明,吕红亮,张义门,周威,刘敏,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用...
[会议论文] 作者：Jincan Zhang,张金灿,Yuming Zhang,张玉明,Hongliang Lv,吕红亮,Yimen Zhang,张义门,Wei Zhou,周威,Min Liu,刘敏,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用电路网络理论以及S,Y,Z参数之间的关系,分别对HBT小信号模型的寄生参数和本征元件参数进行......
[会议论文] 作者：XubinNing[1]宁旭斌[2]HongliangLv[1]吕红亮[2]YumingZhang[1]张玉明[2]YimenZhang[1]张义门[2]QiangshengCui[1]崔强生[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电...
[会议论文] 作者：YinghuiZhong[1]钟英辉[2]YumingZhang[1]张玉明[2]YimenZhang[1]张义门[2]HongliangLu[1]吕红亮[2]JincanZhang[1]张金灿[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文基于0.15μm栅长的lnP HEMT器件工艺研制出了一款工作在W波段的低噪声放大器。因为Cascode结构具有输出阻抗大、反向隔离度好、Miller效应小、增益大的优点,本设计采...
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