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[期刊论文] 作者：汤晓燕,张玉明,张义门,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2011
提出了一种基于物理的4H—SiC n—MOSFET反型层迁移率模型．基于第一性原理的准二维库仑散射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度对库仑散射的影响，模型中不包含任何经验参数，......
[期刊论文] 作者：马格林,张玉明,张义门,马仲发,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2011
由于当前多种技术同时被用于碳化硅（SiC）外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外延材料和器件的发展.用红外镜面反射谱、拉...
[期刊论文] 作者：陈达,张玉明,张义门,王悦湖,,
来源：电子科技大学学报 年份：2011
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通...
[期刊论文] 作者：苗瑞霞, 张玉明, 汤晓燕, 张义门,
来源：物理学报 年份：2011
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[期刊论文] 作者：黄鹤, 张玉明, 汤晓燕, 张义门, 苗瑞霞,,
来源：航空计算技术 年份：2011
根据4H-SiC刃型位错的特点,在Castep软件中建立了6×6×1的刃型位错模型。基于第一性原理,利用Castep程序对刃型位错的相关性质进行了计算,并与完整晶格的模拟结果进...
[期刊论文] 作者：宋庆文,张玉明,张义门,陈丰平,汤晓燕,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The current transport parameters of 4H-SiC merged PiN Schottky(MPS) diode are investigated in a temperature range of 300-520 K.Evaluation of the experimental cu...
[期刊论文] 作者：王悦湖,张义门,张玉明,宋庆文,贾仁需,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
This paper investigates the current-voltage (I-V) characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 77 K-500 K,which sh...
[期刊论文] 作者：陈丰平,张玉明,吕红亮,张义门,郭辉,郭鑫,,
来源：半导体学报 年份：2011
4H-SiC junction barrier Schottky(JBS)diodes with four kinds of design have been fabricated and characterized using two different processes in which one is fabri...
[期刊论文] 作者：陈丰平,张玉明,张义门,汤晓燕,王悦湖,陈文豪,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The 4H-SiC junction barrier Schottky(JBS) diodes terminated by field guard rings and offset field plate are designed,fabricated and characterized.It is shown ex...
[期刊论文] 作者：黄健华,吕红亮,张玉明,张义门,汤晓燕,陈丰平,宋庆文,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
In this paper,a mixed terminal structure for the 4H-SiC merged PiN/Schottky diode(MPS) is investigated,which is a combination of a field plate,a junction termin...
[期刊论文] 作者：王党朝,张玉明,张义门,雷天民,郭辉,王悦湖,汤晓燕,王航,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
In this paper,we report a feasible route of growing epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) substrate in a low pressure of 4 mbar (1 bar=10 5 Pa) with an argon flux...
[期刊论文] 作者：王党朝,张玉明,张义门,雷天民,郭辉,王悦湖,汤晓燕,王航,,
来源：半导体学报 年份：2011
This article investigates the formation mechanism of epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) substrates under low pressure of 2 mbar environment.It is shown that the...
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