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[期刊论文] 作者：张倩,张玉明,张义门,
来源：计算物理 年份：2010
基于4H—SiC的材料特性，对具有双外延基区结构的4H—SiC双极晶体管进行研究．通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间，利用正交试验的方法，基于各种器件二维模型......
[期刊论文] 作者：张倩,张玉明,张义门,,
来源：半导体学报 年份：2010
According to the avalanche ionization theory,a computer-based analysis is performed to analyze the structural parameters of single-and multiple-zone junction te...
[期刊论文] 作者：张倩,张玉明,张义门,,
来源：计算物理 年份：2010
基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模...
Parameter analysis for gate metal-oxide-semiconductor structures of ion-implanted 4H silicon carbide
[期刊论文] 作者：王守国,张义门,张玉明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
From the theoretical analysis of the thermionic emission model of current-voltage characteristics, this paper extracts the parameters for the gate Schottky cont...
[期刊论文] 作者：汤晓燕,张玉明,张义门,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
Epitaxial channel metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs) have been proposed as one possible way to avoid the problem of low inversion layer...
[期刊论文] 作者：张林,张义门,张玉明,韩超,,
来源：半导体学报 年份：2010
4H-SiC metal Schottky field effect transistors(MESFETs) and Schottky barrier diodes(SBDs) were irradiated at room temperature with 1 MeV neutrons.The highest ne...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张玉明,张义门,郭辉,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2010
对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度...
[期刊论文] 作者：张倩,张玉明,张义门,王悦湖,,
来源：半导体学报 年份：2010
Based on the material characteristics and the operational principle of the double base epilayer BJTs,and according to the drift-diffusion and the carrier recomb...
[期刊论文] 作者：王守国,张岩,张义门,张玉明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
Ion-implantation layers are fabricated by multiple nitrogen ion-implantations (3 times for sample A and 4 times for sample B) into a p-type 4H-SiC epitaxial lay...
[期刊论文] 作者：王守国,张岩,张义门,张玉明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
The ohmic contacts of 4H-SiC are fabricated on nitrogen ion implanted layers made by performing box-like-profile implantation three and four times. Implantation...
[期刊论文] 作者：苗瑞霞,张玉明,张义门,汤晓燕,,
来源：硅酸盐学报 年份：2010
介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)和外延层厚度的几何关系,通过测量在场发射扫...
[期刊论文] 作者：苗瑞霞, 张玉明, 汤晓燕, 张义门,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2010
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中,表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的,因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光（CL）的工......
[期刊论文] 作者：陈丰平,张玉明,吕红亮,张义门,黄建华,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
This paper reports that the 4H-SiC Schottky barrier diode, PiN diode and junction barrier Schottky diode terminated by field guard rings are designed, fabricate...
[期刊论文] 作者：宋庆文,张玉明,张义门,张倩,吕红亮,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
This paper proposes a double epi-layers 4H—SiC junction barrier Schottky rectifier(JBSR) with embedded P layer (EPL) in the drift region.The structure is chara...
[期刊论文] 作者：程萍, 张玉明, 张义门, 王悦湖, 郭辉,
来源：物理学报 年份：2010
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[会议论文] 作者：康亮;吕红亮;张玉明;张义门;许俊瑞;,
来源：第七届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2010
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Simulation research on offset field-plate used as edge termination in 4H-SiC merged PiN-Schottky dio
[期刊论文] 作者：陈丰平,张玉明,张义门,吕红亮,宋庆文,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
A new structure of 4H-silicon carbide(SiC) merged PiN-Schottky(MPS) diodes with offset field-plate(FP) as edge termination is developed.To understand the influe...
[会议论文] 作者：程和远;张玉明;吕红亮;汤晓燕;张义门;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用Foundry lum InGaP/GaAs HBT工艺实现超高速2分频器,设计过程在速度和功耗之间进行了折中,仿真结果表明,电源电压为5V,最高工作频率可达到25.2GHz,工作范围从Dc到25.2Ghz...
[期刊论文] 作者：苗瑞霞,张玉明,张义门,汤晓燕,盖庆丰,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
This paper reports that the etching morphology of dislocations in 8° off-axis 4H-SiC epilayer is observed by using a scanning electronic microscope.It is found...
SiC epitaxial layers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier dio
[期刊论文] 作者：王悦湖,张义门,张玉明,张林,贾仁需,陈达,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
This paper presents the results of unintentionally doped 4H-SiC epilayers grown on n-type Si-faced 4H-SiC substrates with 8°off-axis toward the [1120] directio...
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