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[期刊论文] 作者：郭辉,张义门,张玉明,
来源：半导体学报 年份：2007
通过在Si面P型4H—SiC外延层上使用P^＋离子注入来形成n阱．Ti和Ni依次淀积在有源区的表面，金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相．XEDS的结果表明在Ni2Si／SiC界面处存...
[期刊论文] 作者：郭辉,张义门,张玉明,,
来源：半导体学报 年份：2007
通过在Si面p型4 H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成n阱.Ti和Ni依次淀积在有源区的表面,金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相.XEDS的结果表明在Ni2Si/SiC界面...
[期刊论文] 作者：曹全君,张义门,张玉明,,
来源：电子器件 年份：2007
提出了一种基于器件物理和结构参数并可直接应用于射频电路CAD工具的4H-SiC MESFET大信号解析模型.大信号模型基于4H-SiC MESFET的物理工作机理,源漏电流模型采用Materka的改...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张义门,张玉明,郭辉,
来源：半导体学报 年份：2007
构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的...
[期刊论文] 作者：郜锦侠,张义门,张玉明,夏杰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅...
[期刊论文] 作者：郜锦侠,张义门,张玉明,夏杰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：陈亮;张义门;张玉明;吕红亮;,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
埋栅-埋沟4H-SiC MESFET新型结构器件是利用工艺手段将栅极底部埋入导电沟道内部中，并在其导电沟道上部加入一层缓冲层。利用ISE软件，建立了埋栅-埋沟4H-SiC MESFET模型，并...
[会议论文] 作者：曾全君,张义门,张玉明,郭辉,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
结合漏电流的解析模型和适用CAD工具准解析模型，提出了一种新型4H-SiCMESFET自热效应物理模型。模型包括4H-SiC低场电子迁移率和杂质不完全离化随温度的变化的一种CAD建模...
[会议论文] 作者：戴瀚斌,张玉明,张义门,郭辉,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm CMOS工艺进行设计,并用H-spice仿真器对电路进行了仿真,得到了电源电压为±4V,以及......
[期刊论文] 作者：苏浩航,张义门,张玉明,满进财,
来源：电子器件 年份：2007
将随机游走法和层次法相结合,采用层次化随机游走法对静态P/G网（Power and Ground Networks）进行分析.针对大规模的电路,在通过多层的参数提取和建模得到静态P/G网模型后,运用...
[期刊论文] 作者：苏浩航,张义门,张玉明,满进财,,
来源：计算机辅助设计与图形学学报 年份：2007
采用压缩式双共轭梯度算法分析大规模电源/地线网络.首先以稀疏存储结构对大规模的系数矩阵进行压缩处理,然后采用双共轭梯度算法对网络进行模拟.双共轭梯度算法采用2组共轭向量组作为搜索方向,收敛速度快.实验数据表明:在保证精度的情况下,该算法在加快电路网......
[期刊论文] 作者：邵科,曹全军,张义门,张玉明,孙明,,
来源：微电子学 年份：2007
在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响。分析了产生频散效应的原因以及...
[会议论文] 作者：张蓬,张义门,张玉明,汤小燕,张林,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
通过模拟仿真软件对基于4H-SiC的肖特基辐射探测器做了模拟研究和分析。在使用ISE软件模拟4H-SiC肖特基探测器在不同偏压和不同的γ射线的剂量率下器件的响应，模拟中得到...
[会议论文] 作者：王悦湖,张书霞,张义门,张玉明,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
在硅面(0001)方向偏8°4H-SiC衬底上生长外延层，生长温度为1580℃，压力为100mbar，采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LP-HW-CVD)，得到了高质量的外延层。外延层表面形貌用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测量。测量表明，生长的4H-SiC外延层有很好的晶......
[期刊论文] 作者：常远程,张义门,张玉明,曹全君,王超,,
来源：电子器件 年份：2007
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不...
[期刊论文] 作者：常远程,张义门,张玉明,王超,曹全君,
来源：电子器件 年份：2007
本文在高电子迁移率晶体管（HEMT）小信号等效电路模型的基础上，考虑了A1GaN／CmNHEMT的结构特性，具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法．采用这些方法，实际测量了5～10GHz频率下HEMT器......
[期刊论文] 作者：郭辉,张义门,张玉明,张健,郜锦侠,,
来源：电子器件 年份：2007
对n型SiC的Ni基欧姆接触的机理进行了研究.通过在p型4H-SiC外延层上使用N离子注入来形成N阱,并在此基础上制作Ni/n型SiC欧姆接触的TLM结构,得到的比接触电阻约为1.7×10-...
[会议论文] 作者：孙明,张玉明,张义门,吕红亮,邵科,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
基于4H-SiC材料特性，在ISE仿真软件中建立4H-SiC BJT器件模型。该模型包含SiC/SiO2界面态和发射区-基区界面态，较好地反映了实际器件的直流工作特性。利用该模型分析了两种...
[会议论文] 作者：王超,张义门,张玉明,王悦湖,徐大庆,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
对掺钒生长半绝缘6H-SiC中钒杂质能级的补偿机理进行了研究。二次离子质谱分析结果表明，氮是SiC中主要存在的浅施主杂质，掺入的钒杂质通过束缚氮施主上的自由电子完成补偿...
[期刊论文] 作者：常远程,张义门,张玉明,王超,曹全君,,
来源：电子器件 年份：2007
本文在高电子迁移率晶体管(HEMT)小信号等效电路模型的基础上,考虑了AlGaN/GaNHEMT的结构特性,具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法.采用这些方法,实际测量了5~10GHz频率...
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