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[学位论文] 作者：康晋,
来源：厦门大学 年份：2011
纳米材料具备优异的物理化学性质,在光学、电子、催化、能量转换等诸多领域有着广泛的应用。由于纳米异质结构的多组分及多样结构等特点,对比单体它体现出大量新颖的、更优异...
[期刊论文] 作者：康晋玲,,
来源：煤 年份：2011
针对石圪节洗煤厂动筛车间煤尘大，作业环境差的现状进行了深入分析，并采取相应的治理措施。达到了降低煤尘污染，有效改善作业环境的目的，保证了职工的身心健康。...
[会议论文] 作者：杨勇,康晋伟,
来源：山西省气象学会2011年年会 年份：2011
针对区域自动气象站数据传输使用了UDP和TCP协议，采用软件和硬件防火墙实现了端口映射和地址转化技术，有效地将互联网和气象信息内网进行隔离，保障了网络的安全，提高了气象信息传输的稳定性。......
[期刊论文] 作者：康晋,肖海珠,徐伟,,
来源：桥梁建设 年份：2011
乌苏大桥主桥为独塔单索面斜拉桥,跨径布置为（140＋140）m,采用塔、墩、梁固结体系,综述该桥上部结构设计与计算。主梁为带大挑臂的钢箱结合梁,中间钢箱梁采用单箱双室截面,两侧钢......
[期刊论文] 作者：康晋,段雪炜,徐伟,,
来源：钢结构 年份：2011
重庆朝天门长江大桥主桥采用（190＋552＋190）m中承式连续钢桁系杆拱桥结构,为双层桥面布置的公轨两用大桥,也是世界上跨度最大的拱桥。主梁边跨采用临时墩辅助的伸臂法架设,中跨采......
[会议论文] 作者：康晋伟;蒋云盛;杨勇;,
来源：山西省气象学会2011年年会 年份：2011
利用1958-2008年五台县的气温、降水、风速、日照等资料，进行分析和论证，提出五台县50年来的气候变化趋势。从上一世纪50年代末至60年代，五台县冬季偏低，夏季偏高，降水偏多，从7......
[期刊论文] 作者：康晋芳,王冰,李琴,翟建平,,
来源：粉煤灰综合利用 年份：2011
以漂珠（FACs）为基体,利用γ-氨丙基三乙氧基硅烷（APS）对其表面进行处理,通过化学原位聚合的方法实现了聚吡咯（PPY）的有效负载,成功合成了PPY/APS/FACs复合材料。采用SEM、XPS以及TG...
[期刊论文] 作者：张兵,郭里春,候光前,康晋,
来源：内蒙古中医药 年份：2011
目的：探讨用单臂外固定支架结合腓骨钢板治疗胫腓骨中下段骨折的疗效。方法：2005年5月至2010年12月对28例胫腓骨中下段开放骨折采用外固定支架或结合腓骨钢板固定。按Gustilo分...
[期刊论文] 作者：杨群收, 崔勇, 康晋辉, 姚恩广,,
来源：金属加工(热加工) 年份：2011
影响铸铁、铸钢件组织和性能的因素,有化学成分、孕育（变质）处理、冷却速度、炉料的＂遗传性＂,以及铁液过热温度等,在这些因素中,化学成分含量的高低对铸件物理性能的影响相对更大......
[期刊论文] 作者：杨群收,崔勇,康晋辉,姚恩广,,
来源：金属加工(热加工) 年份：2011
三、配料在配料前选择原材料时,既要照顾到铸件的质量要求,还要注意到各材料的价格,以及库存量,尽可能多地利用本厂的回炉料、废钢和废铁,以降低库存积压和铸件的生产成本。...
[期刊论文] 作者：杨群收,谢耀曾,康晋辉,王俊荣,,
来源：铸造设备与工艺 年份：2011
前文对高铬白口铸铁材质的硬度、韧性、残余奥氏体、碳化物的形态与分布,以及基体组织等综合因素对磨球抗磨性的影响进行了分析。在前文的基础上提出了在实际生产中,如何选择...
[期刊论文] 作者：康晋辉,王俊荣,杨群收,谢耀曾,,
来源：铸造设备与工艺 年份：2011
分析了高铬白口铸铁材质硬度、韧性、基体组织与磨球抗磨性的关系。分析了残余奥氏体,碳化物的数量、形态及分布对磨球抗磨性的影响。通过对磨球工况条件的研究分析及探讨,提...
[期刊论文] 作者：贠玉洁,康永祥,赵宝鑫,陈绵,康晋,,
来源：北方园艺 年份：2011
分别对影响毛梾扦插生根的插穗规格、母树年龄、基质种类、激素种类及浓度等因素和对影响嫁接成活的嫁接时间及砧木进行系统研究。结果表明：生长调节剂以200mg/kg NAA处理插穗...
[期刊论文] 作者：陈绵,康永祥,赵宝鑫,贠玉洁,康晋,,
来源：北方园艺 年份：2011
以西北农林科技大学校园内的健康成年毛株单株为试材，通过对其进行为期2a的开花结实规律及物候期的观察，发现毛株自然环境下坐果率仅为9．27％，产量低且不稳定。通过隔离花粉，激素和......
[期刊论文] 作者：康永祥,贠玉洁,赵宝鑫,陈绵,康晋,,
来源：种子 年份：2011
主要对毛梾（Comuswateri）种子的萌发特性和解除休眠技术进行了探讨。采用称重、测量、解剖等方法，研究种子形态结构、吸水特性，TTC法研究种子活力，内含物测定及通过白菜种子萌发实......
[期刊论文] 作者：吴畏,杜刚,刘晓彦,孙雷,康晋峰,韩汝琦,,
来源：半导体学报 年份：2011
The physical threshold voltage model of pMOSFETs under shallow trench isolation(STI) stress has been developed.The model is verified by 130 nm technology layout...
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