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[期刊论文] 作者：吴良才,宋志棠,周夕淋,饶峰,封松林,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2016
作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近...
[期刊论文] 作者：梁晨亮,刘卫丽,李沙沙,孔慧,张泽芳,宋志棠,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
Metal Ti and its alloys have been widely utilized in the fields of aviation, medical science, and micro-electromechanical systems, for its excellent specific st...
[期刊论文] 作者：佘秋明,曹良良,陈燕,宋新山,王宇晖,宋志棠,吴良才,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
利用原子层沉积(ALD)法分别在Si和石英衬底上制备了Ti O_2薄膜,并在N2氛围下对Ti O_2薄膜样品进行退火处理。采用X射线衍射、原子力显微镜和场发扫描电子显微镜对不同退火温...
[期刊论文] 作者：陈燕,佘秋明,吴爱林,宋新山,宋志棠,姚栋宁,吴良才,
来源：人工晶体学报 年份：2016
分别采用原子层沉积（ALD）和磁控溅射法（MS）在Si和石英衬底上制备TiO2薄膜,并进行退火处理。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和紫外分光光度计对这两种方......
[期刊论文] 作者：张琪,胡佳俊,陈后鹏,李喜,王倩,范茜,金荣,宋志棠,,
来源：微电子学 年份：2016
为满足SoC系统负载快速变化的要求,提出了一种新型摆率增强型片上LDO系统。通过增加有效的内部检测电路,使LDO的功率管栅极电压可以快速地响应输出负载跳变,提高电路响应速度...
[期刊论文] 作者：李晓云,陈后鹏,李喜,王倩,张琪,范茜,雷宇,宋志棠,,
来源：微电子学 年份：2016
在到达纳米级工艺后,传统的静电放电防护(ESD)电源箝位电路的漏电对集成电路芯片的影响越来越严重。为降低漏电,设计了一种新型低漏电ESD电源箝位电路,该箝位电路通过2个最小...
[期刊论文] 作者：卢瑶瑶,蔡道林,陈一峰,王月青,魏宏阳,霍如如,宋志棠,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
The relaxation oscillation of the phase change memory(PCM) devices based on the Ge_2Sb_2Te_5 material is investigated by applying square current pulses.The curr...
Three-Dimensional Simulations of RESET Operation in Phase-Change Random Access Memory with Blade-Typ
[期刊论文] 作者：金秋雪,刘波,刘燕,王维维,汪恒,许震,高丹,王青,夏洋洋,宋志棠,封松林,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
An optimized device structure for reducing the RESET current of phase-change random access memory(PCRAM)with blade-type like(BTL) phase change layer is proposed...
[期刊论文] 作者：霍如如,蔡道林,陈邦明,陈一峰,王玉婵,王月青,魏宏阳,王青,夏洋洋,高丹,宋志棠,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
The endurance characteristics of phase change memory are studied. With operational cycles, the resistances of reset and set states gradually change to the oppos...
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