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[期刊论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,,
来源：微纳电子技术 年份：2007
介绍了我国相变存储器的研究现状及面临的关键问题。提出了我国相变存储器的发展思路和目标:加强新型材料和器件结构等方面的基础研究,形成创新性的成果,同时加强专利战略布...
[期刊论文] 作者：梁爽,宋志棠,刘波,封松林,,
来源：微计算机信息 年份：2007
计算机通过GPIB卡和串口分别控制脉冲信号发生器和单片机实现对C-RAM（Chalcogenide-Random Access Memory）储阵列芯片的数据存储、数据读取和简单的数据运算的直观演示.本文重...
[期刊论文] 作者：刘奇斌,宋志棠,吴良才,封松林,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性。MIS结构由电子...
[期刊论文] 作者：梁爽,宋志棠,刘波,陈小刚,封松林,,
来源：计算机测量与控制 年份：2007
相变存储器测试系统由于PCI控制卡中的总线信号之间的串扰,严重影响了施加在器件单元上的波形;以保证对C-RAM(Chalcogenide-Random Access Memory)进行非晶化操作时脉冲信号下降沿的速度和整个信号的完整性,针对以上问题分别从串口与单片机通信控制继电器和利用......
[期刊论文] 作者：沈菊,宋志棠,刘波,封松林,朱加兵,,
来源：半导体技术 年份：2007
介绍了带隙基准电压源的基本原理，设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0．18μmCMOS工艺。Hspice仿真表明，基准输出电压在温度为-10～120℃时，温......
[期刊论文] 作者：詹达,马小波,刘卫丽,朱鸣,宋志棠,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H＋注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H＋膨胀压...
[期刊论文] 作者：冯高明,刘波,吴良才,宋志棠,封松林,陈宝明,,
来源：半导体学报 年份：2007
为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过...
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