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[期刊论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,
来源：物理 年份：2005
文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗...
[会议论文] 作者：宋志棠,刘波,封松林,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了硫系化合物随机存储器的原理、研究现状、特点及其在军事与航空航天领域的应用前景.硫系化合物随机存储器具有抗辐射、耐高低温、抗电子干扰、抗震动、高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和与半导体工艺兼容性好等优点,被认为最有......
[期刊论文] 作者：张楷亮, 宋志棠, 封松林,
来源：微电子学 年份：2005
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[期刊论文] 作者：宋志棠, 陈苏, 汪扬, 封松林,
来源：光子学报 年份：2005
采用超高真空电子束蒸发制备了一维紫外、可见光波段光子晶体.研究了在石英衬底上不同周期Ag/SiO2体系对光子带隙的影响.带隙位置与理论计算结果符合.发现二氧化硅层的厚度对...
[期刊论文] 作者：宋志棠,陈苏,汪扬,封松林,
来源：光子学报 年份：2005
采用超高真空电子束蒸发制备了一维紫外、可见光波段光子晶体.研究了在石英衬底上不同周期Ag/SiO2体系对光子带隙的影响.带隙位置与理论计算结果符合.发现二氧化硅层的厚度对...
[会议论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,Bomy Chen,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用磁控射频溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电......
[期刊论文] 作者：张楷亮,宋志棠,封松林,CHEN,Bomy,
来源：微电子学 年份：2005
随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响.作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛...
[期刊论文] 作者：陈苏,张楷亮,宋志棠,封松林,
来源：半导体技术 年份：2005
对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了...
[期刊论文] 作者：张楷亮,宋志棠,封松林,CHEN,Bomy,
来源：微纳电子技术 年份：2005
IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高.在比较了IC工艺中的四...
[期刊论文] 作者：张楷亮,宋志棠,封松林,Chen Bomy,
来源：微纳电子技术 年份：2005
IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的...
[期刊论文] 作者：张楷亮,宋志棠,封松林,Chen Bomy,
来源：微电子学 年份：2005
随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响。作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛...
[会议论文] 作者：刘波[1]宋志棠[1]封松林[1]BomyChen[2],
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用磁控射频溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低...
[期刊论文] 作者：刘奇斌,林青,刘卫丽,封松林,宋志棠,
来源：半导体学报 年份：2005
为了减少经典SOI器件的自加热效应，首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN，用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构．实验结果显示，Si3N4层为非晶状态，新结构的SOSN具有良...
[期刊论文] 作者：刘奇斌,林青,刘卫丽,封松林,宋志棠,
来源：半导体学报 年份：2005
为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN...
[会议论文] 作者：刘奇斌;张楷亮;王良咏;封松林;宋志棠;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度...
[会议论文] 作者：詹达,马小波,刘卫丽,宋志棠,林梓鑫,沈勤我,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系,研究结果表明退火温度在100℃升到300℃的过程中,键合强度得到明显加强,高于300...
[会议论文] 作者：马小波;詹达;刘卫丽;宋志棠;沈勤我;林梓鑫;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
为了降低Smart-Cut技术的热处理温度,采用等离子体表面处理和B+/H+共注的方法增强硅/二氧化硅键合界面结合力并降低硅的剥离温度.研究了等离子体表面处理对键合界面的影响,系...
[期刊论文] 作者：骆苏华, 刘卫丽, 张苗, 狄增峰, 王石冶, 宋志棠, 孙,
来源：微电子学 年份：2005
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容...
[会议论文] 作者：张苗,狄增峰,刘卫丽,骆苏华,宋志棠,林成鲁,朱剑豪,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达...
[会议论文] 作者：刘卫丽,狄增峰,张苗,骆苏华,宋志棠,林成鲁,朱剑豪,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力...
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