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[学位论文] 作者：宋天源,
来源：苏州大学 年份：2023
本文研究了漏脉冲应力下非晶铟镓锌氧化物（Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO）薄膜晶体管（Thin-Film Transistors,TFTs）的可靠性,并提出了可以抑制a-IGZO TFT在漏脉冲应力下退化的方法。漏脉冲应力后a-IGZO TFT的转移特性曲线向正栅压（Gate Voltage,Vgs）方......
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