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[期刊论文] 作者：郑丽萍,严北平,孙海锋,刘新宇,和致经,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2003
采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheteroju...
[会议论文] 作者：刘洪民;袁志鹏;孙海锋;和致经;王素琴;王润梅;刘新宇;吴德馨;,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
我们采用微电子中心自行开发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.并在高频电信号测试上取得突破,该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间达3...
[会议论文] 作者：孙海锋;刘新宇;和致经;刘训春;郑丽萍;袁志鹏;刘洪刚;石瑞英;,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
本文简要介绍了中国科学院微电子所在异质结双极晶体管(HBT)研究方面取得的一些成果.异质结双极晶体管(HBT)是国防、通信等高技术领域所需的关键器件之一.由于社会的信息化、...
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