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[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
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[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《日经微器件》2006年第11期报道,美国Analog Devices公司使用MEMS技术开发了车载的新型传感器芯片。该器件的特点是将加速度传感器和角速度传感器MEMS制作在同一芯片上,实...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《日经微器件》2006年第10期报道,日立金属在2006年8月开发出了世界最小尺寸的3轴加速度MEMS传感器。该MEMS传感器的外形尺寸仅为2.9mm×2.9mm×0.92mm,体积为7.7mm3。这是...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《compound Semiconductor》2006年第11期报道,Triquint半导体公司近日推出了专门针对高速蓝牙无线连接而设计的首次GaAs功率放大器。虽然这家俄勒冈州的公司也曾生产过蓝...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Portable Design》2007年第3期报道,SiGe半导体公司研发了一种超小型全球导航卫星系统(GNSS)接收器IC。该器件采用了芯片级封装(CSP)技术,尺寸仅为2.2mm×2.2mm×0.4mm,...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Semiconductor International》2006年第10期报道,安捷伦公司与浙江加州国际纳米研究院决定共同出资2.6亿元建设RF MMIC联合研究中心。该中心将构建完整的微波射频集成电...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Semiconductor FPD World》2006年第10期报道,NEC成功开发了采用氮化物宽禁带材料晶体管制作的大功率放大器,应用于第三代手机(W-CD-MA)的基站。该器件的输出功率高达400...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Semiconductor FPD World》2007年第8期报道,新日本制铁公司先进技术研究所成功开发了SiC单晶圆片的低缺陷技术,为目前业界最好水平。微管密度在1个/cm2,微管free领域在9...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Compound Semiconductor》2007年第2期报道,Strategy Analytics预测公司认为:来自硅材料的压力日渐薄弱,在未来5年内,GaAs HBT和GaAsPHEMT将逐渐占领无线通信的前端市场...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
日立电线公司称,他们研发了间隙形成剥离法(void as sisted separation,VAS)技术推后了现有GaN生长的边界,现已成功制作了3英寸GaN衬底。这项新的VAS技术,首先在蓝宝石衬底上...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《NIKKEI MICRODEVICES》2007年第6期报道,在光MEMS领域目前仍然是美国德州仪器的DLP(Digital Light Processing)处于领先地位。仰视显示器等的新产品已接近实用化水平。在...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Compound Semiconductor》2006年第11期报道,美国海军研究实验室(NRL)的研发人员通过新型InAs HEMT设计突破了微波放大器的能量消耗记录。该窄禁带HEMT放大器功耗仅为350...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Compound Semiconductor》2007年第4期报道,富士通公司和KDDI通信公司开发出了基于GaN HEMT技术的25W的RF放大器。该公司计划将宽禁带半导体技术嵌入到射频系统基站中去...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《SolidState Technology》2007年第7期报道,美国iSuppli公司日前发布报告指出,中国台湾和中国大陆的DRAM产量之和将在2010年之前有望超过韩国。以往韩国DRAM(三星电子、Hy...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《NIKKEI MICRODEVICES》2007年第6期报道,美国Ziptronix公司和美国Raytheon Vision Systems(RVS)公司合作研发了5层CMOS器件和光电二极管进行3维叠层的封装技术。Ziptroni...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Compound Semiconductor》2007年第7/8期报道,TriQuint公司为了支持更便携、小巧的收发和基频带系统,对放大器技术进行了创新性研发。开发的所谓CuFlip封装技术,是使用倒...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Semiconductor International》2006年第11/12期报道,北京大学上海微电子研究院(SNRIME)与美国Applied Wave Research(AWR)合作成立“射频设计和研发联合实验室”。该实...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Semiconductor FPD World》2007年第7期报道,日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)与佳能公司合作,成功开发了电路线宽仅为26nm分辨率的小面积曝光设备(SFET),是目前世...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
据《Semiconductor FPD World》2007年第2期报道,日本Elpida存储器公司与台湾Powerchip Semiconductor Crop(PSC)在台中的“Hou Ii SciencePark”合资成立目前最大的DRAM公司...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
美国外延片开发商和半导体制造商EpiWorks公司在其香巴尼工厂安装新型MOCVD设备,扩大其6英寸HBT外延片的产量,年产量为5万片。该公司领导层认为,在过去的两年InGaP HBT技术呈...
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