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[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据《Solid State Technology》2004年第9/10期报道,日本NTT基础材料科学实验室已成功开发了可供微机电系统(MEMS)结构使用的高速电子束蚀刻技术。其分辨率可远远高于传统的蚀...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据《日经微器件》2004年第9期报道,有关手机微处理器单芯片化的开发近来十分的活跃。目前的主流结构是分为基带微处理器和应用程序微处理器两块芯片。近来瑞萨科技和德州仪器...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
Cree公司近日获得美国海军实验室1210万美元SiC项目的合同。开发基于SiC的高电压开关和二极管,该公司将从现在到2006年11月期间开发出器件的原型。 Cree公司先进器件部门的执...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据《Semiconductor FPD World》2005年第5期报道,日本产业技术综合研究所(产综研)功率电子研究中心采用编位(normally off)技术,开发了具有高沟道迁移率的SiC功率MOSFET。在...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据《Semiconductor FPD World》2004年第10期报道,日本丰田中央研究所成功开发了超高品质的SiC单晶。位错密度是1/100～1/1000。 SiC半导体具有优异的物理特性和电特性,期望应...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
通过不断在手机功率放大器领域壮大,以及夺取其他GaAs应用器件小厂商的市场份额,位于美国麻萨诸塞州Woburn的Skyworks Solutions公司达到了与GaAs器件产业头号供应商RF Micro...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据法国YOLE Developpement公司资料预测,在2004年手机用的MEMS 器件市场规模约为2000万美元,而在未来的三年中,该市场将扩大10倍,到 2008年将达到2.5亿美元的水平。而达到这...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据日本媒体Nihon Keizai Shimbun报道,日本有色金属制造商Dowa Min- ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300 W 的饱和输...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国Rolltronics公司开发的FAS witch技术,试图用MEMS技术来取代目前液晶面板中的TFT。该公司利用这一技术来驱动电泳显示器获得成功,05 年5月在美国召开的SID 2005会议上,Ro...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据“IEEE MTT-S 2005国际微波研讨会”报道,位于美国马萨诸塞州的 Analog DeVices公司研制了一款3 mm×2 mm小型封装的RF混频器。该器件具有高线性度、超低功耗和高集成度,为...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaN IC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
中科院半导体所王占国院士透露国家在“十一五”规划中重点发展17类新材料。首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2-3个满足100-45 nm线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅单晶...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据WWW.SiGe.com报道,SiGe半导体公司新推Range charger器件,主要面向802.11 b/g无线局域网系统。此类器件包含RF前端模块和功率放大器两个内容。 RF前端模块在一个微型芯片级...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据《Semiconductor FPD World》2005年第2期报道,日本精工爱普生公司采用本公司开发的喷墨技术,成功制作了20层叠层电路基板。该公司将分散于液体中的数nm-数+nm银微粒子的墨...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据《Jpn.J.Appl.Phys》2005年第16期报道,日本情报通信研究中心成功研制了毫米波大功率GaN异质结场效应管。研究小组在蓝宝石衬底上通过RF-MBE生长了高Al组分和具有超薄Al- G...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据悉美国Ⅱ-Ⅵ公司的宽禁带材料部门(WBG)计划生产100 mm直径的半绝缘SiC衬底。在这个由美国军方资助的为期3年,投资额为750万美元的项目中,Ⅱ-Ⅵ计划在研发的基础上扩大规模...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
三星研制出一种DVB-H前端电路芯片组,它由零中频CMOS调谐器和符号 DVB(数字视频带宽)手持及陆地电视标准(DVB-H/T)的解码器组成,并与CPU 和嵌入式存储器结合起来。把RF调谐器...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据《Semiconductor International》2005年第4期报道,比利时IMEN微电子研发中心05年3月授予上海集成电路研发中心0.13μm工艺技术转让许可。自2001年起,为解决半导体产生的技...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2005
据《www.memchina.com》报道,中芯国际12英寸芯片生产线最近在北京建成投产,这也是我国第一条12英寸芯片生产线,生产工艺达到0.13 μm的技术水平。此前,中芯国际已在上海建立...
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