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[期刊论文] 作者：张泽洪,孙元平,等,
来源：半导体学报 年份：2003
在金属有机物气相外延（MOVPE）方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触，并在250-650℃范围内对该接触进行退火。通过实验发现，Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形成较...
[期刊论文] 作者：张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明,张宝顺,冯淦,郑新和,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 G...
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