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[会议论文] 作者：何进,张立宁,黄宇聪,吴佳珍,徐姣姣,周致赜,林信南,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方程和计算；MOSFET量子效应的模拟模型发展；小尺度效应模型的建立和分析；多晶硅的统一物理模......
[会议论文] 作者：何进[1]张立宁[2]黄宇聪[3]吴佳珍[3]徐姣姣[3]周致赜[3]林信南[3],
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方...
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