搜索筛选:
搜索耗时0.6575秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 57 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：半导体技术 年份：1998
分别从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面择１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术进行了对比分析，介绍了目前它们的一些进展情况，并对它们的应用前景进行了简要分析。......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：科技导报 年份：1999
为了跟踪世界先进同步辐射装置的研究水平，继北京第一代同步辐射装置和合肥第二代同步辐射装置相继建成后，我国决定建造储存环运行能量为３５ＧｅＶ的上海第三代同步辐射装置（ＳＳＲＦ）。作为我国......
[期刊论文] 作者：叶甜春,张绵,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
对同步辐射Ｘ射线光刻及在ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件制作中的应用进行了研究，并制作出栅长０．１５μｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ晶体管。研究结果表明，Ｘ射线光刻在肃离图形册结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：微电子技术 年份：1999
目前看来，193nm光学光刻很有希望应用到0．13μm集成电路工业生产中去。本文从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机等方面对193nm光学光刻技术进行了分析，并介绍了它目前的一些......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：半导体情报 年份：2001
半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小,极端远紫外光刻是5种下一代光刻技术候选者之一,它的目标是瞄准70纳米及70纳米以下的特征尺寸光刻.本文从极端远紫外...
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：半导体情报 年份：2000
报道了我们制作深亚微米ｘ射线掩模的工艺和同步辐射ｘ射线曝光工艺，并报道了我们在北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）３Ｂ１Ａ光刻束线所获得的深亚微米ｘ射线光刻图形的实验结果。......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：半导体情报 年份：1999
目前看来，１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很希望应用到０．１３μｍ ０．１３μｍ以下的集成电路工业中去，而掩膜笃这两种光刻技术而言是非常重要的．本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：半导体技术 年份：2000
对即将动工的上海第三代同步辐射装置及其主要参数作了介绍，叙述了目前同步辐射ｘ射一光刻和ＬＩＧＡ的一些技术进步情况，并对未来ＳＳＲＦ光刻实验珠应用前景作了简要分析。......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：微细加工技术 年份：1999
目前看来，Ｘ射线光刻技术能否真正到０．１３μｍ及０．１３μｍ以下的集成电路工业中去晃刻技术工作者很关心的一个问题，分别从光源、曝光系统、掩模、光 刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：微细加工技术 年份：1997
同步辐射Ｘ射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置３Ｂ１Ａ光刻束线上的日光结果，并对Ｘ射线掩模的制作工艺作了简要介绍。...
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：微细加工技术 年份：1997
利用Ｂｅａｍ Ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ（ＢＰＭ）方法研究了深亚微米同步辐射Ｘ射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应，并且利用瑞利－索末非理论对光刻胶表现的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不......
[会议论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：叶甜春,孙宝银,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：刘训春,叶甜春,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：叶甜春,刘训春,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：叶甜春,刘训春,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：赵玲利,叶甜春,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[期刊论文] 作者：叶甜春,吴沐新,等,
来源：北京同步辐射装置年报 年份：1997
本文报道了作者在同步辐射X射线光刻研究中的一些新进展，其中，最细尺寸已达50纳米。...
[期刊论文] 作者：陈大鹏,叶甜春,等,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了在采用LPCVD法制备的富硅SiNx膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构。视生长条件和工艺不同，该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等。利用不同条件下生长的SiNx膜的应力测...
相关搜索：
