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[期刊论文] 作者：陈翔,赵宇军,姚若河,何巨龙,,
来源：半导体学报 年份：2008
运用第一性原理方法研究了CuInSe2和不同量的S掺杂CuInSe2所形成的化合物的电子结构.理论计算表明,S掺杂导致CuInSe2禁带宽度增大,且通过对其电子结构和键长的分析,发现因S掺...
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