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[期刊论文] 作者：丁璨,高振江,胡兴,袁召,
来源：原子与分子物理学报 年份：2022
采用基于密度泛函理论的第一性原理分析方法的CASTEP软件,计算了Ni、C单掺杂和共掺杂SnO2的晶格参数、能带结构、电子态密度和布局,结果表明:单掺杂和共掺杂均使得晶胞体积略微增大,禁带减小,且仍属于直接带隙半导体,在价带顶和导带底产生杂质能级,其中Ni-C共掺......
[期刊论文] 作者：丁璨,胡兴,高振江,丁庆昌,
来源：原子与分子物理学报 年份：2022
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对本征Mn4Si7以及Ge,Al单掺杂和共掺杂Mn4 Si7的晶体结构,能带结构,态密度以及光学性质进行了计算和分析.计算结果表明:本征态Mn4Si7的禁带宽度为0.810 eV,为直接带隙半导体材料,掺杂后晶体结构稍微变化,禁带宽度减......
[期刊论文] 作者：陈琛,丁璨,王彦海,邱洁,郑婉婷,
来源：原子与分子物理学报 年份：2022
本文研究外加电场对离子交联聚乙烯的微观结构和能量特性的影响,使用分子模拟法建立PbO作硫化剂的交联聚乙烯分子模型,通过半经验法对模型进行几何优化同时施加沿X轴方向的外电场,计算离子交联聚乙烯的分子总能量、偶极矩、极化率、分子轨道能量、能隙、红外光......
[期刊论文] 作者：丁璨,聂太平,陈天凡,田小健,袁召,
来源：高压电器 年份：2022
直流断路器是柔性直流输电系统组网的关键设备,对直流输配电网的安全性、稳定性有着重要的意义.文中提出了一种基于绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的新型固态直流断路器拓扑,在提高断路器切断电流能力的同时,提高了避雷器和IGBT的......
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