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[学位论文] 作者：丁志博,
来源：北京大学 年份：2008
本论文以GaN基Ⅲ族氮化物半导体材料的结构特性分析和磁学改性为主要研究内容，结合北京大学物理学院核固体物理课题组与比利时鲁汶大学核与辐射物理研究所的实验条件和技术专...
[期刊论文] 作者：丁志博,王坤,陈田祥,陈迪,姚淑德,,
来源：物理学报 年份：2008
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了p-GaN上的Ni/Au电极在氧气氛下相同合金温度(500℃)不同合金时间后的微结构演化,以揭示欧姆接触的形成机制.利用背散射随机谱和RUMP模拟程序研...
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