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[期刊论文] 作者：胡盛东,张波,李肇基,,
来源：微电子学 年份：2010
首次提出一种新的具有双面界面电荷岛结构的SOI高压器件(DCI SOI)。该结构在SOI器件介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓度n+区及p+区。器件外加高压时,纵向电场所形...
[会议论文] 作者：李强,罗萍,张波,李肇基,
来源：04’全国电力电子技术学术年会 年份：2004
本文对具有PSM调制的开关电源进行了原理性分析,这类开关电源效率比常规的PWM调制高且基本上与负载无关;通过状态机对负载进行离散侦测提高了电源的响应度;采用频率抖动...
[会议论文] 作者：王文廉,张波,李肇基,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文提出一种具有浮动衬底偏压的SOI横向超结LDMOS。浮动的衬底偏压随着漏端电压变化，并保持在源端和漏端电压之间。对于N型超结LDMOS，衬底相对超结的N柱区是低电位，而相对超结...
[会议论文] 作者：吴世勇,李肇基,曾军,
来源：全国第六届IC CAD学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：庄圣贤,李学宁,李肇基,
来源：电子科技大学学报 年份：1997
根据规则采样ＰＷＭ的谐波消除原理，提出了一种适于单片机实现的三相ＰＷＭ算法，并用新型功率器件ＲＭＯＳ研制出谐波消除ＰＷＭ逆变器，通过仿真分析和实际运行验证了ＰＷＭ中的谐波消除效果。According to the......
[会议论文] 作者：曾军,李肇基,唐茂成,
来源：全国第六届IC CAD学术年会 年份：1991
该文采用有限差分方法对高压功率双栅ＭＯＳＦＥＴ（ＤＧＭＯＳＦＥＴ）的直流特性进行二维数值分析。验证了ＤＧＭＯＳＦＥＴ的低压ＭＯＳＦＥＴ和ＶＤＭＯＳＦＥＴ的公共Ｎ＋浮空区可以近似看成恒定电阻；发现ＤＧＭＯＳＦＥＴ中ＶＤＭＯＳＦＥＴ的沟道掺杂的不均匀性，将使ＶＤＭＯＳＦＥＴ的饱和夹断点移向沟道内......
[期刊论文] 作者：陈星弼,李肇基,李忠民,
来源：半导体学报 年份：1989
求出了平面工艺所得圆柱边界的突变结的电位分布的解析解.它由若干项拉普拉斯方程的解和一项泊松方程的解组成.此解不象通常的圆柱对称解:在圆柱与平面的交界部分不存在不匹...
[期刊论文] 作者：王新,李肇基,唐茂成,
来源：半导体情报 年份：1994
本文在计算机二维数值分析的基础上，模拟了ＥＳＴ（ｅｍｉｔｔｅｒ＆ｓｗｉｔｃｈｅｄｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）正向工作时的载流子浓度，电流的变化过程，从而深入了解了ＥＳＴ正向工作特性，最后指出了ＥＳＴ正向工作时的五个工作区域。Based on the two-dimen......
[期刊论文] 作者：李肇基,李忠民,陈星弼,
来源：半导体学报 年份：1990
本文发展一种求解泊松方程解的电势与电场的超定方程组的新方法,获得p—n结非对称圆柱解下的圆柱结与平面结相匹配的电势与电场分布及椭圆圆柱解下两者相统一的电场分布公式...
[期刊论文] 作者：王新,李肇基,唐茂成,
来源：电子学报 年份：1996
本文在对发射极开关晶闸管ＥＳＴ（ＥｍｉｔｔｅｒＳｗｉｔｃｈｅｄＴｈｙｒｉｓｔｏｒ）正向特性二维数值分析的基础上，提出了ＥＳＴ正向工作时的五个区域。从剖面图及等效电路图出发，分区、分阶段对其正向特性进行了解析分析。最后将实验结果、......
Analysis of OFF-state and ON-state performance in a silicon-on-insulator power MOSFET with a low-k d
[期刊论文] 作者：汪志刚,张波,李肇基,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
A novel silicon-on-insulator(SOI) MOSFET with a variable low-k dielectric trench(LDT MOSFET) is proposed and its performance and characteristics are investigate...
[期刊论文] 作者：成建兵,张波,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2011
A novel 4μm thickness drift region lateral insulated gate bipolar transistor with a floating n-region(NRLIGBT) in p-substrate is proposed.Due to the field modu...
[期刊论文] 作者：王文廉,张波,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2011
The lateral super junction(SJ) power devices suffer the substrate-assisted depletion(SAD) effect,which breaks the charge balance of SJ resulting in the low brea...
[期刊论文] 作者：胡盛东,张波,李肇基,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
A new analytical model of high voltage silicon on insulator(SOI) thin film devices is proposed,and a formula of silicon critical electric field is derived as a...
[期刊论文] 作者：陈万军,张波,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2007
针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅...
[期刊论文] 作者：李强,易俊,李肇基,张波,
来源：Journal of Electronic Science and Technology of China 年份：2005
A novel frequency compensation technique for three-stage amplifier with dual complex pole-zero (DCP) cancellation is proposed. It uses one pair of complex zeros...
[会议论文] 作者：罗小蓉,张波,李肇基,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 年份：2002
通过氧化一刻蚀一沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃下.本文在100℃以下制备了比较接触电阻ρ=5~8×10Ω.cm的欧姆接触和理想因子n=1.20~1.25的SiC肖特基二极管.与欧姆接触采用950℃高温合金制备的P型6H-SiC肖特基二极管(B类样品)......
[期刊论文] 作者：方健,李肇基,张正,杨忠,
来源：微电子学 年份：2000
提出了一种可以实现极低频甚至是 0 Hz下的高压 H桥功率驱动电路的电荷泵高端浮动自举电路。通过理论分析、仿真和实验 ,证实了在保证驱动器的开关速度不变的情况下 ,该电路...
[期刊论文] 作者：李肇基, 张晓东, 孔令东, 皋军,,
来源：电子技术与软件工程 年份：2015
针对目前市场汽车销售管理的具体情况,分析了构建汽车4S店客户关系智能管理系统的意义、必要性以及可行性,介绍了客户关系智能分析业务流程。使用UML建模技术,采用Rational R...
[期刊论文] 作者：王继安,邢俊青,李肇基,,
来源：微电子学 年份：2009
数字修调技术采用MOS开关控制电路实现对修调数据的传输和电路拓扑结构的改变，相对于传统的修调技术，数字修调技术具有灵活性、可重复性和低成本等特点。基于0．35μm BiCMOS工艺......
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