搜索筛选:
搜索耗时1.3870秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 454 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《NEC技报》2004年第3期报道,日本NEC最近开发了用于无线LAN的5GHz目前世界最小的RF收发一体前端模块(FEM),采用了化合物半导体IC技术和LTCC技术。该RF FEM由天线开关(SW)...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《NEC技报》2004年第3期报道,日本NEC开发了用于下一代大容量无线系统的具有90W以上输出功率的S波段宽带(400MHz)GaAs大功率放大器。该放大器在1个芯片内封装了2只50W输出...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《Semiconductor FPD World》(日)2004年第2期报道,日本松下电器产业成功开发了GaN MMIC的大功率开关IC。该开关IC的输出功率是原来同类产品的10倍,达到了40W。此外,采用...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据报道,Elcom Technologies公司日前推出一款新型超低相位噪声耐振结构的可选择振荡器,为宽带接收机应用而设计。可在单个紧凑模块内容纳多达6个不连续的频率级。采用独特的...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《NEC技报》2004年第3期报道,日本NEC和NEC电子共同开发了目前世界最小尺寸的柔性叠层芯片级封装(FFCSP)的3维封装技术。 FFCSP采用热可塑性树脂柔性基板(FPC),将LSI和FPC...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
ABriefIntroductiontiontothe1997ElectronicPackageTechnologySymposiuminChina1997年全国电子封装技术学术会议于11月6日至11月9日在安徽省黄山市召开。本届年会由全国封装...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
据日本《电子技术》1996年第8期报道，日本富士通公司为了1GbitDRAM的规模生产需要，开发了ArF准分子激光曝光技术，成功地形成了用于4GbitDRAM的0．13μm尺寸的图形。ArF准分子激光（...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９９年第２期报道。日本东芝公司开发了横向Ｓｉ双极晶体管，用于第三代移动通信系统。该器件在厚度为４００ｎｍ的Ｓｉ氧化膜上形成厚度为１００ｎｍ单晶硅ＳＯＩ衬底，然后在该衬底上形成横向发射极、基极和集电极......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
据《日经工卜夕卜o。夕X》1997年第2—10期报道，德国西门子与德国Ruhr大学、奥地利工业大学合作，采用SiGe技术开发了高速2：1分频器IC，工作频率为42GHz。Si／SiGeHBT采用双层多晶硅...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
据日本《应用物理》1997年第2期报道，松下电子工业电子综合研究所使用移相膜边缘线掩蔽光刻法（PEL），开发出了0．15μmT型栅的GaAsMODFET。MODFET使用了MBE生长的外延片．MODFET的截面...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：光电子技术 年份：1998
据报道，日本冲电气工业新开发了发光效率提高10倍以上的发光二极管阵列。过去开发的GaAsxP（1－x）LED）阵列，驱动电流为3mA时的每单位电流的发光强度约为5μW。这次开发的LED阵列．在发......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
据《学会志》1996年第二期报道，松下电子工业的电子综合研究所开发了用于便携电话的低压驱动功率放大场效应晶体管。新开发的场效应管栅极下部被微细加工成“V”状，可有效地控......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
５７０飞秒的超高速光导开关据日本《ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ》１９９５年第３期报道，日本电子技术综合研究所电子器件部开发了目前最高速的５７０ｆｓ光导开关。这是一种由光来改变半导体介电常数的器件。该器件的制作过程是在......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
据日本《电子技术》1998年第3期报道，日本村田制作所采用GaAs半导体衬底，制作了毫米波工作频率的场效应管。器件采用了该公司独特的GaAs基绝缘栅掺杂沟道异质结构（如图）。其半导......
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
2011年5月5日上午消息,英特尔在旧金山展示了一项全新的3D晶体管技术,可以在性能不变的情况下,将处理器能耗降低一半。英特尔宣布其研发的3D晶体管将首次投入批量生产,并将用...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
美国德州的Black Sand科技公司近日推出了支持WCDMA、HSDPA、HSUPA的两款CMOS PA。BST34系列可以作为市场上GaAs PA的替代产品,功能及管脚安全兼容现有的GaAs PA;该PA集成带...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
全球知名的射频微波MMIC厂商Hittite公司日前推出3款新型的I/Q下变频器,适用于雷达、卫星通信、点对点通信、点对多点通信应用,支持频率从9GHz到24 GHz。其中,HMC869LC5和HMC...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
背景时光追溯到2003年到2004年,当遥控简易引爆装置(IED)开始在伊拉克出现时,不仅仅是美国陆军和海军陆战队开始大吃一惊,连美国电子战(EW)工业也没有应对这种威胁的准备。美...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2011
据报道,美国DARPA发布新项目,名为“认知无线电低功率信号分析传感器集成电路(CLASIC)”。该项目的目的是为认知无线电开发新型的射频、模拟和混合信号集成电路架构和设计方...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
Hittite微波公司宣布推出一个新系列片式砷化镓(GaAs)MMIC混频器、I/Q混频器、次谐波IRM混频器,频率覆盖范围达19～90GHz。这些VelociumGaAs MMIC混频器产品是很多应用的理想选...
相关搜索：
