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[期刊论文] 作者：邢艳辉,韩军,邓军,刘建平,牛南辉,李彤,沈光地,,
来源：功能材料 年份：2007
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术,对p型GaN∶Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方...
[期刊论文] 作者：韩军, 赵佳豪, 邢艳辉, 史峰峰, 杨涛涛, 赵杰, 王凯,
来源：发光学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：方志丹,崔碧峰,黄社松,倪海桥,邢艳辉,牛智川,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
通过优化分子束外延生长条件，得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs／GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率（0．001单层／秒）可以把量子点的密度降低到4×10^6cm^-2。这些结果使...
[期刊论文] 作者：徐丽华,邹德恕,邢艳辉,宋欣原,徐晨,沈光地,,
来源：光电子.激光 年份：2008
研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管（LED）表面进行粗化的技术，使光输出得到了提高。粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED，光强提高了27％，光功...
[期刊论文] 作者：韩军, 赵佳豪, 赵杰, 邢艳辉, 曹旭, 付凯, 宋亮, 邓旭,
来源：发光学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：韩军, 赵佳豪, 邢艳辉, 史峰峰, 杨涛涛, 赵杰, 王凯,,
来源：发光学报 年份：2018
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[期刊论文] 作者：盖红星,李建军,韩军,邢艳辉,邓军,俞波,沈光地,陈建新,
来源：第十一届全国基础光学与光物理学术讨论会 年份：2004
采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴...
[期刊论文] 作者：邢艳辉,李影智,韩军,邓旭光,吉元,徐晨,沈光地,,
来源：光电子.激光 年份：2012
采用扫描电声显微镜(SEAM)和电子背散射衍射(EBSD)对异质外延在Al2O3衬底上GaN界面区域成像测试分析。异质外延失配应力导致在Al2O3和GaN界面附近的微区晶格畸变在SEAM的声成...
[期刊论文] 作者：陈翔,邢艳辉,韩军,李影智,邓旭光,范亚明,张晓东,张宝顺,,
来源：中国激光 年份：2013
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN...
[期刊论文] 作者：钟林健, 邢艳辉, 韩军, 王凯, 朱启发, 范亚明, 邓旭光,,
来源：中国激光 年份：2015
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[期刊论文] 作者：李彤, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 邢艳辉, 韩军,,
来源：物理学报 年份：2007
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[期刊论文] 作者：王凯,邢艳辉,韩军,赵康康,郭立建,于保宁,李影智,,
来源：半导体光电 年份：2016
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm~3/min的CP_2Mg源流量下,晶...
[期刊论文] 作者：林委之,李建军,于晓东,邓军,廉鹏,韩军,邢艳辉,沈光地,,
来源：半导体光电 年份：2007
用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构。分别采用1 000 ml/min和400 ml/min的PH3流量(对应的...
[期刊论文] 作者：韩军,李建军,邓军,邢艳辉,于晓东,林委之,刘莹,沈光地,,
来源：光电子.激光 年份：2008
对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析，用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED，在20mA注入电流下，LED的峰...
[期刊论文] 作者：盖红星,郭霞,邓军,李建军,韩军,邢艳辉,俞波,牛南辉,陈建,
来源：光学技术 年份：2005
可以把垂直腔面发射激光器看作是多层光学薄膜,应用光学薄膜原理对其光学薄膜的特性进行了研究.计算分析了布拉格反射镜和谐振腔模的反射谱受器件结构变化的影响.通过利用菲...
[期刊论文] 作者：钟林健,邢艳辉,韩军,王凯,朱启发,范亚明,邓旭光,张宝顺,,
来源：中国激光 年份：2015
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了Ga N∶C薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的Ga N薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD外延Ga N薄膜电学性能的影响,...
[期刊论文] 作者：韩军,李建军,邓军,邢艳辉,于晓东,林委之,刘莹,沈光地,
来源：光电子．激光 年份：2008
对用于提高AIGaInP红光发光二极管（LED）出光效率的分布布拉格反射镜（DBR）和增透膜进行了分析，用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了包含DBR和增透膜的LED，在20mA注入电流下，LED的峰......
[期刊论文] 作者：韩军,邢艳辉,李建军,邓军,于晓东,林委之,刘莹,沈光地,,
来源：光电子.激光 年份：2008
设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管，该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接。双有源区发光二极管在20mA注入电流下，主波...
[期刊论文] 作者：俞波,韩军,李建军,盖红星,牛南辉,邓军,邢艳辉,廉鹏,沈光,
来源：半导体光电 年份：2005
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明...
[期刊论文] 作者：陈翔,邢艳辉,韩军,霍文娟,钟林健,崔明,范亚明,张宝顺,
来源：发光学报 年份：2014
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对CaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响.研究结果表明:厚度为15 n...
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