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[会议论文] 作者：李磊,张玉明,张义门,王梁永,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文开发了一种以Intel80C196KC单片机及CPLD为核心的通用智能电磁流量转换器,详细说明了流量信号的特征、系统的硬件组成结构....
[期刊论文] 作者：张林,张义门,张玉明,韩超,,
来源：半导体学报 年份：2010
4H-SiC metal Schottky field effect transistors(MESFETs) and Schottky barrier diodes(SBDs) were irradiated at room temperature with 1 MeV neutrons.The highest ne...
[期刊论文] 作者：余稳,孙晓玮,钱蓉,张义门,
来源：半导体学报 年份：2005
设计并流片制作了基于GaAsPHEMT工艺的Ka波段微波单片集成压控振荡器(MMICVCO).该VCO具有紧凑、宽电调谐带宽及高输出功率的特点.提出了缩小芯片面积及增大调谐带宽的方法,同...
[会议论文] 作者：张健,张义门,张玉明,郭辉,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文通过使用器件模拟软件ISETCAD,对Ti/Al基金属在p型4H-SiC上形成欧姆接触的机理进行了研究,同时对传输线模型(TLM)进行了二维I-V特性模拟,得到了影响欧姆接触比接触电阻的关键因素....
[会议论文] 作者：贾威,张玉明,张义门,郭辉,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型,得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度变化的曲线.考虑了五种散射机制对霍尔迁移率的影响,模拟了电子霍尔迁移率随温度变化的规律.在温度较低且掺杂浓度较高时,中性杂质......
[会议论文] 作者：程萍,张玉明,张义门,李永平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法，计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有(1/c)本征缺陷的电子结构，分析了其能带结构和电子态分布。计算结果表明：K会引入新的杂质能级，与其成键的Si原子是形成该杂质能级的主要因素且该四个Si原子对该能级的贡献相同。......
[期刊论文] 作者：马格林, 张玉明, 张义门, 马仲发,,
来源：物理学报 年份：2004
提出了一种新的,用未限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线...
[期刊论文] 作者：武岳,吕红亮,张玉明,张义门,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2018
为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来...
[期刊论文] 作者：马格林, 张玉明, 张义门, 马仲发,,
来源：物理学报 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张玉明,张义门,郭辉,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2010
对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张义门,张玉明,郭辉,
来源：半导体学报 年份：2007
构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的...
[期刊论文] 作者：张林,张义门,张玉明,汤晓燕,
来源：半导体学报 年份：2006
采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+ SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/n+ SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简...
[期刊论文] 作者：吕红亮,张义门,张玉明,杨林安,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了4H—SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性．建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型，分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用．综合考虑......
[期刊论文] 作者：马格林,张玉明,张义门,马仲发,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2011
由于当前多种技术同时被用于碳化硅（SiC）外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外延材料和器件的发展.用红外镜面反射谱、拉...
[期刊论文] 作者：吕红亮,张义门,张玉明,何光,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2001
在建立SiC材料和器件的有关模型基础上,运用二维器件模拟器MEDICI在200～700 K温度范围内,对4H-SiC MESFET的直流和交流小信号特性进行了模拟与分析.将模拟所得到的高温特性典...
[期刊论文] 作者：张林,张义门,张玉明,汤晓燕,,
来源：电子器件 年份：2006
给出了一种新型SiC MOSFET-6H-SiC异质结源漏MOSFET。这种器件结构制备工艺简单，避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高等问题，而且具有性能优良，开态...
[期刊论文] 作者：戴瀚斌,张玉明,张义门,郭辉,
来源：现代电子技术 年份：2008
设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路，增大了乘法器的输入范围（±4V）。该乘法器采用TSMC0．35μ...
[期刊论文] 作者：郭辉,张义门,张玉明,吕红亮,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图,提出...
[期刊论文] 作者：陈达,张玉明,张义门,王悦湖,,
来源：电子科技大学学报 年份：2011
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通...
[期刊论文] 作者：郜锦侠,张义门,张玉明,夏杰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅...
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