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[期刊论文] 作者：张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明,张宝顺,冯淦,郑新和,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 G...
[期刊论文] 作者：张泽洪,孙元平,赵德刚,段俐宏,王俊,沈晓明,冯淦,冯志宏,,
来源：半导体学报 年份：2004
在金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触,并在250～650℃范围内对该接触进行退火.通过实验发现,Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形成...
[期刊论文] 作者：孙元平,付羿,渠波,王玉田,冯志宏,赵德刚,郑新和,段俐宏,李秉,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：2020
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[期刊论文] 作者：沈晓明,张秀兰,孙元平,赵德刚,冯淦,张宝顺,张泽洪,冯志宏,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (...
[期刊论文] 作者：冯淦,郑新和,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,孙元平,张泽洪,王玉田,杨辉,梁骏吾,
来源：中国科学(A辑) 年份：2002
采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为......
[期刊论文] 作者：孙元平,付羿,渠波,王玉田,冯志宏,赵德刚,郑新和,段俐宏,李秉臣,张书明,杨辉,姜晓明,郑文莉,贾全杰,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：2002
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外...
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