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[期刊论文] 作者：李妤晨,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,王斌,周春宇,,
来源：Journal of Central South University 年份：2014
隧道地效果晶体管(TFET ) 是互补金属氧化物半导体以后的时代的一个潜在的候选人。作为一台设备的最重要的电的参数之一，两倍门 TFET (DG-TFET ) 门阀值电压被学习。首先，特征...
Effect of substrate doping on threshold voltages of buried channel pMOSFET based on strained-SiGe te
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,周春宇,李妤晨,,
来源：Journal of Central South University 年份：2014
底层基于 strained-SiGe 技术在埋葬的隧道 pMOSFET 的阀值电压上做的效果被学习。由身体上导出阀值电压的模型，相反地首先发生的层是底层做依赖者，这被发现，给对在这台设备的 C...
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,周春宇,李妤晨,
来源：中南大学学报：英文版 年份：2013
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[期刊论文] 作者：汤晓燕,张义门,张鹤鸣,张玉明,戴显英,胡辉勇,
来源：物理学报 年份：2004
利用 3UCVD技术在p型 4H SiC上制备了栅氧化层 ,其正的氧化物电荷密度仅有 1 6× 1 0 1 1 cm- 2 ,这一结果优于传统的热氧化工艺 .为检验氧化层质量所做的高频C V测试采用了...
[期刊论文] 作者：屈江涛,张鹤鸣,秦珊珊,徐小波,王晓艳,胡辉勇,,
来源：物理学报 年份：2011
本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组...
[期刊论文] 作者：秦珊珊,张鹤鸣,胡辉勇,屈江涛,王冠宇,肖庆,舒钰,,
来源：物理学报 年份：2011
本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模...
[期刊论文] 作者：秦珊珊,张鹤鸣,胡辉勇,戴显英,宣荣喜,舒斌,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
Based on the analysis of vertical electric potential distribution across the dual-channel strained p-type Si/strained Si 1-x Ge x /relaxd Si 1-y Ge y (s-Si/s-Si...
Physically based analytical model for plateau in gate C-V characteristics of strained silicon pMOSFE
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,周春宇,李妤晨,,
来源：Journal of Central South University 年份：2013
A physically based analytical model was developed to predict the performance of the plateau observed in the gate C-V characteristics of strained-Si/SiGe pMOSFET...
[期刊论文] 作者：宋建军,杨超,朱贺,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,舒斌,,
来源：物理学报 年份：2014
将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路所能达到的工作速度.为此,本文针对所提出的...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,刘翔宇,连永昌,张鹤鸣,宋建军,宣荣喜,舒斌,,
来源：物理学报 年份：2014
分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程,揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律,建立了总...
[期刊论文] 作者：喻磊, 雷金勇, 田兵, 胡辉勇, 魏文潇, 郭晓斌, 李鹏,
来源：南方电网技术 年份：2016
当直流微电网中光伏发电系统的容量占比较大时,光伏应具备对直流母线电压支撑的功能。将光伏输出功率与直流微电网母线电压构成支撑关系,采用牛顿差值法对光伏输出采样值进行...
[期刊论文] 作者：康海燕,胡辉勇,王斌,宣荣喜,宋建军,赵晨栋,许小仓,,
来源：物理学报 年份：2015
采用横向表面PiN（SPiN）二极管构造的硅基可重构天线具有众多优于传统天线的独特优势,是实现天线小型化和提升雷达与微波通信系统性能的有效技术途径.本文提出一种Si/Ge/Si异质...
[期刊论文] 作者：黄大鹏, 戴显英, 张鹤鸣, 王伟, 吴建伟, 胡辉勇, 张,
来源：微电子学 年份：2005
侧墙厚度及悬梁长度是SiGe HBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft.在目前的文献中,尚未...
[会议论文] 作者：胡辉勇;张鹤鸣;戴显英;宣荣喜;俞智刚;王喜媛;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
集电结空间电荷区的渡越时间是影响晶体管交流放大系数和频率特性的重要参数.本文分三种情况求解了SiGeHBT集电结耗尽层宽度,建立了不同集电极电流密度、包括基区扩展效应条...
[会议论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,宣荣喜,区健锋,王喜媛,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子...
[会议论文] 作者：魏璇,舒斌,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,宋建军,陈景明,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
文中介绍了SnxGe1-x在设计新型光电器件的重要作用,并且说明了该材料巨大前景.对SnGe合金的各项特性进行了说明,以此为基础设计了一种新型LED并且研究了在实际工艺中,SnGe合...
[会议论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,舒斌,姜涛,吕懿,王喜媛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文建立了SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的准静态物理模型,讨论了器件结构中δ-掺杂层的杂质浓度与体征层厚度与空穴面密度的关系,以及栅压与空穴面密度的关系.最后,...
[期刊论文] 作者：周春宇,张鹤鸣,胡辉勇,庄奕琪,吕懿,王斌,王冠宇,,
来源：物理学报 年份：2014
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模型.该模型采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题.同时采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET端口电荷及其电...
[期刊论文] 作者：周春宇,张鹤鸣,胡辉勇,庄奕琪,舒斌,王斌,王冠宇,,
来源：物理学报 年份：2013
本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对...
[期刊论文] 作者：申展, 胡辉勇, 雷金勇, 许爱东, 郭晓斌, 彭勇刚, 杨,
来源：南方电网技术 年份：2015
随着分布式电源以及基于分布式电源的用户侧微电网的应用越来越广泛,用户与电网之间双向的电能流动使得传统的计量方式需要相应做出改变。分析了分布式电源接入用户及用户侧...
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