搜索筛选:
搜索耗时1.8622秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 409 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：李琦,张波,李肇基,,
来源：物理学报 年份：2008
提出表面阶梯掺杂(SD:Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型,研究其结构参数对击穿电压的...
[期刊论文] 作者：李琦,李肇基,张波,
来源：物理学报 年份：2004
提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型. 基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析式. 借助此模型,研究了器件结构参数...
[期刊论文] 作者：Harrjson D C,李肇基,,
来源：国外医学.心血管疾病分册 年份：1986
日常运动对人类健康的益处已有评述。数十年来已设计了许多旨在提高活动能力,减少过早发生冠状动脉疾病(CAD)的危险因素以及促使心肌梗塞和心脏手术后康复的运动方案。虽有...
[期刊论文] 作者：金智敏,李肇基,,
来源：上海医学 年份：1992
朱某,男性,75岁,住院号4312。患者心悸、胸闷3天,于1991年6月11日入院。平时能胜任一般体力活动,无心绞痛、气急、浮肿史。有高血压病史10年,不规则服降压药。入院体检:神志...
[会议论文] 作者：李肇基,杨之廉,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：李琦,张波,李肇基,,
来源：物理学报 年份：2008
提出了双面阶梯埋氧层部分绝缘硅(silicon oninsulator,SIO)高压器件新结构.双面阶梯埋氧层的附加电场对表面电场的调制作用使表面电场达到近似理想的均匀分布,耗尽层通过源...
[学位论文] 作者：李肇基（Lee Chao Chi）,,
来源：清华大学 年份：2004
由古至今,不论是生活上或是情感上,水与人们的生活有着密不可分的关系。在两百多年前,汉人到台北盆地开发,陆续开辟了水圳以供灌溉农田,提供了农业所需的水源,开发了一亩亩的...
[学位论文] 作者：李肇基（Lee Chao Chi）,
来源：清华大学 年份：2016
由古至今,不论是生活上或是情感上,水与人们的生活有着密不可分的关系。在两百多年前,汉人到台北盆地开发,陆续开辟了水圳以供灌溉农田,提供了农业所需的水源,开发了一亩亩的良田,而这些水圳不仅灌溉农田,也提供了人民洗衣、戏水、钓鱼的空间,与人们日常生活息......
[期刊论文] 作者：张波,李肇基,方健,,
来源：中国集成电路 年份：2003
功率半导体器件包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路。功率半导体器件技术是电力电子技术的基础与核心。它是微电子技术与电力电子技术的结合。功率二极管功率...
[期刊论文] 作者：郭海燕, 张波, 李肇基,,
来源：电力电子技术 年份：2010
周期函数频率调制是降低电路EMI水平的一个有效方法,但国内对其研究很少。这里论述了周期函数频率调制的调制波形、调制系数、调制频率的选择与降低电路传导EMI的关系。分析...
[期刊论文] 作者：罗萍,李肇基,陈光,,
来源：电子测量与仪器学报 年份：2006
传统的传导型电磁干扰（EMI）噪声的测试多为混合测试或分时分离测试，由于共模和差模EMI噪声没有完全分离或不为同～时刻的值，因此其测试结果不够精确。本论文针对传导型共模、差模EM......
[期刊论文] 作者：曾军,李肇基,陈星弼,
来源：电子学报 年份：1992
本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR’s)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(LFP)边界条件。利用该技术在求解Poisson方...
[期刊论文] 作者：陈星弼,李肇基,蒋旭,
来源：半导体学报 年份：1988
利用作者们开发的有限元二维分析程序对高压半导体器件的电场分布进行了模拟分析.给出了这类器件中有离子注入、场板和栅极延伸等终端结构时的电场分布;根据模拟结果得出突变...
[期刊论文] 作者：曹亮,张波,李肇基,
来源：电子工程师 年份：2004
设计了一种能有效控制电流过冲与输出短路电流的高性能电荷泵稳压器,它通过改变误差放大器输出来控制电荷泵开关管电流,使得电荷泵在启动阶段具有输出短路控制,在正常工作时...
[会议论文] 作者：段宝兴,张波,李肇基,
来源：2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会 年份：2006
本文回顾了功率半导体器件的发展历史,针对硅基和 SOI基功率半导体材料论述了功率器件的发展现状,以及作为新型结构的SJ和类SJ的最新进展.概述了解决功率器件发展中一对主要...
[期刊论文] 作者：李肇基,陈星弼,曾军,
来源：电子科技大学学报 年份：1989
在求解高压功率(HV/P)器件的泊松方程与连续性方程中,将与注入和掺杂有关的因子引入物理参数模型。针对HV/P器件分析程序特有的收敛与溢出问题,采用从低电压到高电压的分段解...
[期刊论文] 作者：段宝兴,张波,李肇基,
来源：半导体学报 年份：2005
提出了一种具有P型埋层的PSOI器件耐压新结构，称为埋层PSOI（BPSOI）．其耐压机理是，通过P型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场分布中产生新的峰而使击穿电压提高；P型埋层的......
[期刊论文] 作者：张波,段宝兴,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2006
针对薄外延横向功率集成技术的发展，提出一种降低体内电场REBULF（REduced BULk Field）的新耐压技术，并设计了一例具有n^＋浮空层的REBULF LDMOS新结构．新耐压机理是通过嵌入在高阻衬...
[期刊论文] 作者：段宝兴,张波,李肇基,
来源：半导体学报 年份：2005
提出了一种阶梯埋氧型SOI（SBOSOI）RESURF器件结构，并解释了该结构的场调制耐压机理，通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性，优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系，得出阶梯数为3时......
[期刊论文] 作者：牛全民,张波,李肇基,
来源：中国电机工程学报 年份：2008
脉宽调制模式DC／DC变换器非线性分析经常采用离散模型。该文基于跨周期调制工作模式建立断续导通模式Buck变换器的闭环同步开关映射模型。分析输出电压随负载电阻变化的非线性...
相关搜索：
