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[期刊论文] 作者：付玉霞,刘志弘,刘荣华,仲涛,李希有,
来源：半导体情报 年份：2000
干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响...
[期刊论文] 作者：陈海英,付玉霞,王振楠,王媛,张彩霞,,
来源：山东农业工程学院学报 年份：2015
随着经济的发展,文化已经成为竞争软实力。京津冀一体化的发展背景为河北省"文化强省"战略带来了机遇。在对文化内涵进行深入思考的基础上,结合河北的历史、人文文化以及社会...
[期刊论文] 作者：刘志农,熊小义,付玉霞,张伟,陈培毅,钱佩信,
来源：半导体技术 年份：2003
在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准...
[期刊论文] 作者：耿占佳,王南,付玉霞,吴慧,张静,耿占雄,,
来源：信息记录材料 年份：2016
钢厂在炼钢生产过程会产生庞大的物流数据,如何有效的进行数据分析,以帮助决策者提高决策力成为亟待解决的问题。本文在数据仓库技术(DW)和数据挖掘技术(DM)的基础上,基于联机分析处理技术(OLAP)创建炼钢生产物流信息数据仓库、物流信息多维数据集,进行数据挖掘......
[期刊论文] 作者：许群洲,李玉恒,陈冬,付玉霞,衣冠军,利华成,
来源：现代化农业 年份：1999
近年来市场上销售的叶面肥品种繁多，标新立异，令人眼花缭乱。为了选择适宜本地区栽培条件、增产效果显著、使用方法简便、成本低廉的叶面肥品种，黑龙江省迎春林业局对１９９８年本地区市......
[会议论文] 作者：付玉霞,刘志弘,张伟,仲涛,郭英姿,夏苏,林发永,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
本文研究了α-200台阶仪测试系统重复性和再现性(R&R).详细介绍了R&R分析的统计方法,样本的制备,测试方案及测试结果,还就结果进行了讨论....
[期刊论文] 作者：熊小义, 刘志农, 张伟, 付玉霞, 黄文韬, 刘志弘, 陈长春,
来源：微纳电子技术 年份：2003
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[期刊论文] 作者：张磊, 蔡建强, 赵建军, 毕新宇, 邢古生, 闫涛, 付玉霞,,
来源：中国普通外科杂志 年份：2009
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[会议论文] 作者：林发永,刘志弘,刘爱华,张伟,郭英姿,仲涛,付玉霞,鲁勇,夏苏,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文扼要介绍统计过程控制在集成电路生产中应用,对理论的经验和控制图做了比较,详细介绍了层别法和散布图相结合研究改善IC生产工艺,减少产品某些特性的离散率应用工作....
[期刊论文] 作者：熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,
来源：微纳电子技术 年份：2003
在SiGe HBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGe HBT小电流下较大漏电问题,对SiGe HBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究.通过改变...
[期刊论文] 作者：张磊,蔡建强,赵建军,毕新宇,邢古生,闫涛,付玉霞,赵平,,
来源：中国普通外科杂志 年份：2009
目的探讨肝脏局灶性结节性增生(FNH)的临床诊断特点及治疗选择。方法回顾性分析28例经手术后病理证实为FNH患者的临床资料。结果在28例患者中,20例(71.4%)无明显症状,24例(85...
[会议论文] 作者：林发永,刘志弘,刘荣华,张伟,付玉霞,刘爱华,仲涛,鲁勇,石永维,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文应用C-1 PECVD系统从实验上研究了各种工艺条件对SiON淀积速率、折射率及其片内均匀性影响,并从中确定出优化的工艺菜单....
[期刊论文] 作者：张磊,蔡建强,毕新宇,赵建军,邢古生,阎涛,付玉霞,赵平,
来源： 年份：2009
目的 分析影响肝内胆管细胞癌（ICC）患者预后的相关临床病理因素，并对ICC的外科治疗方式进行探讨。方法 回顾性分析43例经病理证实为ICC患者的临床病理资料。43例ICC患者中，40例行肝切除术，2例在剖腹探查时行无水酒精注射，1例仅行剖腹探查。采用单因素和Cox回归模型对......
[会议论文] 作者：雒睿,张伟,李高庆,周卫,徐阳,蒋志,李希有,付玉霞,钱佩信,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了双胞10叉指集电极上引出结构的SiGe HBT，其BVCBO和BVCEO分别为11V和6V，Early电压为37v。在Ic=40mA，Vce=4V的条件下，测得其截止频率fT可达22GHz，最高振荡频率可达12.8GHz(未作去嵌入)。...
[会议论文] 作者：殴阳毅,刘志弘,刘荣华,乔忠林,仲涛,付玉霞,刘爱华,林发永,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文研究了在PE8310全自动二氧化硅刻蚀的实验模型基础上,通过最小二乘法优化提取了模型参数,从而求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系.借助于在较宽的工艺条件...
[期刊论文] 作者：熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,钱佩信,
来源：微纳电子技术 年份：2003
在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超...
[期刊论文] 作者：阿尼古力·沙比尔,甄雅惠,付玉霞,盛娟,阿依努尔·斯迪克,李瑞岐,
来源：新医学 年份：2021
目的研究白芦藜醇(RSV)对小鼠超排卵效果及胚胎发育的影响。方法以2~3月龄的CD-1小鼠为研究对象,在超排卵同时腹腔注射RSV(RSV组)或二甲基亚砜(DMSO组),观察RSV对小鼠超排卵...
[会议论文] 作者：张伟,熊小义,刘志弘,许军,付玉霞,单一林,刘爱华,窦维治,王玉东,刘朋,钱佩信,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5"圆片0.8umCMOS...
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