搜索筛选:
搜索耗时0.5785秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 100 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：章炜巍,朱大中,沈相国,,
来源：材料导报 年份：2004
ZnO薄膜中的本征点缺陷对材料的电学、发光性能有着至关重要的影响.目前,对本征点缺陷的研究是ZnO领域的一大热点,也是实现ZnO基光电器件的关键技术之一.本文结合最新研究,扼...
[期刊论文] 作者：章安良,朱大中,孙颖,
来源：压电与声光 年份：2005
在128°y切割X传播方向上的LiNbO3基片上设计并研制了S型声表面波器件.它将输入IDT激发的声表面波中心对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出.应用P矩阵法分析了其中一...
[期刊论文] 作者：董小英,孙颖,朱大中,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
采用CSMC 5V 0．6μm标准CMOS工艺设计研制了一种过温保护电路。该电路由三部分构成：PTAT（与热力学温度成正比）电压产生电路，带隙基准源电路和比较器电路。芯片测试结果表明在30～130......
[期刊论文] 作者：戴春祥,孙颖,朱大中,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
为了降低阵列化光寻址电位传感器(LAPS Array)非敏感区域的噪声干扰,提出一种新的结构,对非敏感区域进行重掺杂,并在其表面生长厚氧化层。用同样的激光束照射,非敏感区域的光电流比敏感区域降低20dB以上。针对阵列化LAPS的特点,研究了电极位置变化、光源强度变......
[期刊论文] 作者：郭清,朱大中,姚韵若,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0．6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏......
[期刊论文] 作者：王廷宇,郭维,朱大中,,
来源：传感技术学报 年份：2010
基于CSMC0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种带有双环检测的大功率LED恒流驱动芯片。仿真结果表明,芯片可在2MHz频率下工作,驱动电流最高可达1.5A,在24V电源电压时,电源效率可达9...
[期刊论文] 作者：章安良,徐方迁,朱大中,,
来源：电讯技术 年份：2006
提出了极性抽指加权叉指换能器设计的新方法，克服了传统设计方法的繁杂性。将极性抽指加权叉指换能器作为染色体，通过独特的（-1，1）的二值编码，以目标频率响应曲线和待进化的叉指换......
[期刊论文] 作者：朱大中,苑立建,梁正保,,
来源：客车技术与研究 年份：2013
简述校车车内噪声现状；采取控制措施并进行测量，证明效果良好。...
[期刊论文] 作者：颜冲, 刘九皋, 包大新, 朱大中,
来源：磁性材料及器件 年份：2005
数字用户线(xDSL)已广泛用于网络通信技术.总谐波失真(THD)是xDSL技术中调制解调器用变压器的一项非常重要的参数.文章首先介绍了总谐波失真的概念和测试方法,然后叙述了变压...
[期刊论文] 作者：陈继凯,朱大中,黄浙隆,
来源：压电与声光 年份：2003
在 LiNbO3晶片上设计并实现了一种新型的双声路延迟线型声表面波质量传感器.利用光刻工艺在每个声传播路径上构造了一个方形质量沉积区,当有物质沉积到该区时,由于质量沉积效...
[期刊论文] 作者：章安良,朱大中,林远龙,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
在128°旋转Y切割X传播方向上的LiNbO3基片上设计并研制了Y型声表面波器件。它将输入IDT激发的声表面波轴对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出。应用P矩阵法分析了其...
[期刊论文] 作者：许超群,孙颖,朱大中,韩雁,,
来源：单片机与嵌入式系统应用 年份：2013
在X射线传感器中,为了满足对集成片上闪烁层的6×6光电二极管阵列在脉冲型X射线激发下的光电流值的快速读出要求,提出了一种36通道微弱电流的快速采集系统的设计。系统主要包括低漏电流多路选择器、高精度电流镜和微控制器,在微控制器控制下,系统逐个读出36通道......
[期刊论文] 作者：许超群,孙颖,韩雁,朱大中,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
A CMOS compatible PC/Nwell/Psub double junction photodiode pixel was proposed, which can efficiently detect fluorescence from CsI(Tl) scintillation in an X-ray...
[期刊论文] 作者：徐家权,郎金荣,叶润涛,朱大中,
来源：浙江大学学报(自然科学版) 年份：1993
RESURF(减小表面电场)结构的LDMOSFET(水平沟道二次扩散MOS场效应晶体管)是HVIC(高压集成电路)中较为理想的高压输出器件。本文对RESURF结构的LDMOSFET进行了理论与计算机分...
[期刊论文] 作者：李继光,张火德,林杰,朱大中,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1985
本文简述了制备(100)N/N~+硅外延片的工艺条件,给出了该材料性能数据。经器件验证,其参数均达到了国际同类型器件水平,从而证明本工艺的可行性。In this paper, the proces...
[期刊论文] 作者：颜冲,于军,包大新,陈文洪,朱大中,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
自旋电子学是上世纪90年代以来飞速发展起来的新兴学科.与传统的半导体电子器件相比,自旋电子器件具有非挥发性、低功耗和高集成度等优点.电子学、光学和磁学的融合发展更有...
[期刊论文] 作者：郭维,丁扣宝,韩成功,朱大中,韩雁,,
来源：浙江大学学报(工学版) 年份：2011
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件（NLDMOS）在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究....
[期刊论文] 作者：罗豪,韩雁,张泽松,韩晓霞,马绍宇,应鹏,朱大中,,
来源：半导体学报 年份：2010
A high-performance low-powerΣΔanalog-to-digital converter(ADC) for digital audio applications is described.It consists of a 2-1 cascadedΣΔmodulator and a de...
[会议论文] 作者：Zhang Bin,Han Yan,Zhang Shifeng,Hu Jiaxian,Zhu Dazhong,张斌,韩雁,张世峰,胡佳贤,朱大中,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文根据国内现有工艺水平提出了一种高压平面栅型IGBT新的结构及其制作方法,在三重扩散工艺的基础上,通过保留正面的扩散残留层来减弱JFET电阻,不但可以省略JFET注入工...
[会议论文] 作者：Zhang Bin,张斌,Han Yan,韩雁,Zhang Shifeng,张世峰,Hu Jiaxian,胡佳贤,Zhu Dazhong,朱大中,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文根据国内现有工艺水平提出了一种高压平面栅型IGBT新的结构及其制作方法,在三重扩散工艺的基础上,通过保留正面的扩散残留层来减弱JFET电阻,不但可以省略JFET注入工艺,节省生产成本,而且由于三重扩散的深度扩散特点使研磨减薄后保留下来的残留层表面掺杂浓......
相关搜索：
