搜索筛选:
搜索耗时1.7097秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 90 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：励旭东,许颖,李维刚,姬成周,李仲明,马本堃,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：2001
采用颗粒硅带(SSP)作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达6.36%的薄膜太阳电池.对衬底特性、电池制作工艺、存在问题及进一步的研究...
[期刊论文] 作者：陈俊,张通和,姬成周,沈京华,杨建华,孙贵如,高愈尊,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1991
给出了不同靶温下的Ti注入H13钢的抗磨损特性,并研究了不同靶温对强化机理的影响。注入时靶温为液氮冷却、150和400℃,注入能量和注量分别为180keV和3×10~(17)cm~(-2)。...
[期刊论文] 作者：张通和,姬成周,沈京华,陈俊,杨建华,孙贵如,高愈尊,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1990
为在金属中形成所需要的合金或金属间化合物而采用双重离子注入技术.2种注入离子注入能量和注量需要合理匹配.还考虑了溅射效应和扩散效应存在时的各种修正.在计算机模拟的基...
[期刊论文] 作者：张通和,姬成周,阚希文,沈京华,谭福进,陈俊,杨建华,
来源：核技术 年份：1991
锡注入H13钢,使表面摩擦系数下降一倍,磨损率也有所下降。扫描电镜观察表明,被磨过的注入层表面光滑。背散射分析表明,注入过程中锡出现明显的增强扩散现象,锡浓度分布比理论...
[期刊论文] 作者：李国辉,韩德俊,陈如意,姬成周,王策寰,夏德谦,朱红清,
来源：半导体学报 年份：1994
在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率，高迁率的ｎ型薄层，本文研究了Ｓｉ＾＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量，注入和退火条件的关系，结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接......
[期刊论文] 作者：李国辉,韩德俊,韩卫,姬成周,朱恩均,周均铭,黄绮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ）。在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提......
[期刊论文] 作者：李国辉,韩德俊,陈如意,罗晏,刘伊犁,姬成周,朱红清,王策寰,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1992
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF~+对离子注入层特性的影响。认为BF~+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_...
[期刊论文] 作者：张通和,姬成周,沈京华,陈俊,杨建华,高愈尊,孙贵如,谭福进,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1990
探讨了 Ti 注入 H13钢时形成 Ti 和 Fe 合金相的规律以及 Ti 注入钢的硬化机理.根据辐射损伤理论给出了离子注入引起的空位和间隙原子产生率微分方程,并导出了平衡态时方程的...
[期刊论文] 作者：承焕生,何文权,沈皓,汤家镛,张通和,谢晋东,姬成周,陈俊,
来源：核技术 年份：1995
用５．８ＭｅＶ ＾４Ｈｅ离子和３ＭｅＶ质子背散射研究了强束流钇注入的Ｈ１３钢的高温特性，由直接测定氧化层中氧原子面密度得知经钇离子注入后在８００℃氧化４５ｍｉｎ条件下抗氧化能力提高了２５倍，观察到了元素铬在注钇氧化层中......
[期刊论文] 作者：杨茹,李国辉,姬成周,田晓娜,韩德俊,于理科,任永玲,马本堃,
来源：微电子学 年份：2005
针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出。 采用全离子注入,实现了基区宽度为80~100 nm的npn纵向结构。基极用电压输入,Vbe在1.2 V附...
相关搜索：
