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[期刊论文] 作者：郑惟彬,黄庆安,李拂晓,
来源：微波学报 年份：2001
开关是微波信号变换的关键元件。和传统的半导体开关相比 ,射频微机电系统 (RFMEMS)开关具有优良的高频特性和固有的重量轻、尺寸小、低功耗等优点 ,而且其制作工艺和传统的...
[期刊论文] 作者：苏纪文,王国才,李拂晓,
来源：材料保护 年份：2000
用超硬铝合金ＬＣ4材料加工的特殊产品其外观颜色需要黑色 ,以前采用先进行硬质阳极氧化 ,再用酸性黑ＡＴＴ进行染色的工艺 ,但染色的产品耐候性较差 ,在户外使用 1年后 ,色泽暗淡 ,有......
[期刊论文] 作者：李晨, 田利忠, 纪军, 李拂晓,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2012
＂大数据＂时代[1]对信息处理系统所具备的巨量信息处理能力的要求和微纳电子器件的系统功能集成技术发展将引发严峻的热挑战。持续缩微、系统功能进一步集成和器件级异构将导致......
[期刊论文] 作者：曹敏华,李拂晓,林金庭,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
研制中心频率为18GHz的振荡型有源集成天线，包括微带天线设计、单片压控振荡器（MMIC VCO）的设计及微带天线与单片压控振荡器二者的集成。微带天线的芯片面积为4．5mm×3．5mm，增......
[期刊论文] 作者：李拂晓,肖燕婷,陈占寿,
来源：应用数学 年份：2022
分类时间序列在生物医学、社会学和遗传学等领域有着广泛的应用,累积Logistic回归模型是分类时间序列建模的一类重要模型.本文基于偏似然得分过程(Partial likelihood score process)提出一种变点序贯检验方法,监测累积Logistic回归模型的结构是否发生变化.原假......
[期刊论文] 作者：郑惟彬,黄庆安,李拂晓,廖小平,
来源：微纳电子技术 年份：2003
射频微机械开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景.但是目前的微机械开关都是制作在硅基衬底上的,难于与后面的高频砷化镓处理电路相集成.本文...
[期刊论文] 作者：唐家业,陶海胜,李拂晓,杨文辉,,
来源：光电子技术 年份：2014
报道了一种新型的荧光屏的制备方法,通过调节荧光粉胶体的粘度和含量得到了分辨率高且厚度可调,发光效率高,均匀性好的变像管荧光屏。实验表明该类荧光屏符合特种变像管中高...
[期刊论文] 作者：陈效建,吴旭,李拂晓,焦刚,
来源：半导体学报 年份：2004
讨论了采用埋栅结构实现GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题，提出了增强型MHEMT的设计与实现方法．通过不同金属(Al，Pt，Ti)／InAlAs Schottky势垒系统的...
[期刊论文] 作者：郑惟彬,黄庆安,李拂晓,金玉丰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
采用大激励极板的螺旋型膜开关在保持优异的高频特性的同时,可以获得较低的阈值电压.但是对这种结构的设计缺乏足够理论分析.文中将在Ansys软件数值求解的基础上,研究缺口尺...
[期刊论文] 作者：郑惟彬,黄庆安,廖小平,李拂晓,
来源：电子学报 年份：2003
射频微机械(RF MEMS)开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景.但是目前对微机械开关的研究主要都集中在开关梁的结构设计和力学分析上,对开关的...
[期刊论文] 作者：彭龙新,李建平,李拂晓,杨乃彬,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
使用0．25μm GaAs PHEMT工艺技术，设计和制造了性能优良的5-22 GHz两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GHz内，测得增益G≥18dB，带内增益波动ZxG≤±0．35dB，噪声系数...
[会议论文] 作者：钟世昌,陈堂胜,林罡,李拂晓,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文介绍了采用介质辅助T型栅工艺研制的12 mm GaAs功率PHEMT.用一枚这种芯片采用内匹配技术制成Ku波段6 W内匹配管.在13.5～14.0 GHz频带内,饱和输出功率6.45 W,功率增益7.1 d...
[会议论文] 作者：张斌,许晓丽,李拂晓,邵凯,
来源：2003中国国际集成电路研讨会 年份：2003
本文研制了移动通信用的双频低压高效功率放大器电路。电路两级放大，AB类工作，3.6V工作。使用ADS软件进行电路的模拟和优化，采用55所0.5um三英寸GaAsMMIC标准工艺实现。研制结果...
[会议论文] 作者：章彬,黄庆安,李拂晓,林金庭,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
该文从可行性的角度出发介绍了一种微电子机械系统(MEMS)谐振器的新结构。它利用单晶硅作为扭摆式振动轴进行谐振。主要特点在于设计方法极大地降低了结构和材料的应力因素对...
[会议论文] 作者：郑惟彬,黄庆安,金玉丰,李拂晓,
来源：第五届全国微米/纳米技术学术会议 年份：2001
目前对MEMS开关和移相器的研究非常活跃.但是大部分的研究工作都集中在设计不同形状的开关结构和开关制作上,对开关静电力模型的研究还十分不够.文章利用材料力学知识,通过合理的假设和简化,推导出双晶结构梁膜式开关的静电力解析模型,并详细讨论了开关阈值电压......
[期刊论文] 作者：应子罡,吕昕,高本庆,李拂晓,
来源：电讯技术 年份：2005
分析了宽带VCO的设计原理,阐明了设计步骤,采用双变容二极管的新型结构设计了2～4 GHz、4～7 GHz、7～12 GHz和12～18 GHz四个宽带GaAs VCO芯片以完全覆盖2～18 GHz频段.仿真结果表明本...
[期刊论文] 作者：周骏, 沈亚, 戴雷, 王子良, 李拂晓,,
来源：电子与封装 年份：2007
低温共烧陶瓷（LTCC）是实现小型化、高可靠性多芯片组件的一种理想技术方式。多层转换电路实现了微波信号在基板内部传输。文章研究了微带线到带状线背靠背式多层转换电路，优化设......
[期刊论文] 作者：余淑华,魏小琴,刘彬,李拂晓,,
来源：装备环境工程 年份：2011
采用库房贮存与加速试验的方法,研究了丁羟推进剂在库房贮存与加速老化环境下的规律,得到了丁羟推进剂加速老化与库房贮存的试验数据。利用秩相关系数检验方法对2组试验数据...
[期刊论文] 作者：王义,李拂晓,唐世军,郑维彬,,
来源：电子与封装 年份：2007
文章介绍了一种准单片形式的功率放大器，采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAspHEMT功率管芯，设计了准单片电路形式的匹配电路，设计所得的功率放大器在8．5GHz-10GHz频带范...
[期刊论文] 作者：应子罡,吕昕,高本庆,李拂晓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
将新型算法-退火遗传算法用于GaAsFET大信号等效电路模型参数的提取,给出了具体流程并提取了器件的模型,结果表明该算法快速可靠,文中为提取大信号模型提供了新的方法,并扩展...
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