搜索筛选:
搜索耗时0.5609秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 281 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：左致远,夏伟,王钢,徐现刚,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
We demonstrate and introduce here a pyramidally patterned metal reflector into wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes(LEDs) to improve the light extraction...
[期刊论文] 作者：左致远, 夏伟, 王钢, 徐现刚,
来源：半导体技术 年份：2014
...
[会议论文] 作者：付芬, 田亮光, 徐现刚, 胡小波,,
来源： 年份：2013
本文对市场新兴的彩色合成碳硅石进行了显微镜观察、拉曼光谱仪测试、X射线荧光能谱仪测试以及切工比例测试。我们发现彩色碳硅石的晶型为6H-SiC,且台面垂直于光轴。彩色碳硅...
[期刊论文] 作者：陶绪堂,黄柏标,徐现刚,赵显,
来源：人工晶体学报 年份：2021
2011年5月6日4时56分,我们敬爱的导师蒋民华先生在济南病逝,至今已经十年了。十年来,我们像一群失去父亲的孩子,会经常想念他,甚至在梦里见到他。每天早晨上班经过他的铜像前...
[期刊论文] 作者：刘喆,唐喆,崔得良,徐现刚,
来源：物理 年份：2002
异质结晶体三极管 (HBT)的性能与其材料体系密不可分 ,利用能带工程可以大大优化器件的结构 ,提高器件性能 .文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手 ,介绍了一种利用能带工...
[会议论文] 作者：付芬,徐现刚,胡小波,田亮光,
来源：2013中国珠宝首饰学术交流会 年份：2013
本文对市场新兴的彩色合成碳硅石进行了显微镜观察、拉曼光谱仪测试、X射线荧光能谱仪测试以及切工比例测试.发现彩色碳硅石的晶型为6H-SiC,且台面垂直于光轴.彩色碳硅石的净...
[期刊论文] 作者：陶绪堂,黄柏标,徐现刚,赵显,
来源：人工晶体学报 年份：2021
2011年5月6日4时56分,我们敬爱的导师蒋民华先生在济南病逝,至今已经十年了.rn十年来,我们像一群失去父亲的孩子,会经常想念他,甚至在梦里见到他.每天早晨上班经过他的铜像前...
[会议论文] 作者：曲爽,王成新,李树强,徐现刚,
来源：第七届中国国际半导体照明论坛 年份：2010
本文使用MOCVD方法，在蓝宝石衬底上通过GaN过渡层进行了AlInN薄膜的生长，并研究了生长温麦和生长压力对其表面形貌和In组分的影响。生长温度变化的研究表明。在一定温度范围内，降低生长温度司以获得更高的In组分，当生长温度为T3时，In组分为17.5％，与GaN实现了晶格匹配。......
[会议论文] 作者：徐现刚,任忠祥,夏伟,黄柏标,
来源：第九届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2004
山东华光光电子有限公司以国家计委产业化前期关键技术项目为依托,将650nm半导体激光器迅速实现了规模化生产.日产650nm量子阱激光芯片20万只,打破了原有芯片从台湾、美日进口的局面,成为国内最大的650nmLD芯片供应商,国内市场占有率30﹪以上.650nm应变量子阱脊形......
[期刊论文] 作者：郁万成,陈秀芳,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2016
石墨烯材料自问世以来,一直处于学界研究的焦点,在微电子器件领域,通过Si C衬底制备的近自由态石墨烯具有较大的应用潜力。本文介绍了Si C热解法制备石墨烯的优势与劣势,说明...
[期刊论文] 作者：于国建,徐明升,胡小波,徐现刚,
来源：人工晶体学报 年份：2014
通过高分辨X射线衍射（HRXRD）技术，对金属有机化合物气相外延（MOCVD）生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向，晶格常数和应力情况，位错密度等进行了分析。分析表明，GaN和SiC具有一致的a轴......
[期刊论文] 作者：于乃森,李玲,郝霄鹏,徐现刚,
来源：材料科学与工程学报 年份：2004
核壳型复合半导体纳米粒子,作为复合半导体纳米粒子材料的一个重要分支,凭借其优异的性质,受到了广泛关注.本文主要介绍了有机/无机和无机/无机核壳型复合半导体纳米微粒及其...
[期刊论文] 作者：盖洪峰,王佳,田芊,夏伟,徐现刚,,
来源：光学技术 年份：2007
微小孔径激光器(Very-small-aperture laser,VSAL)是近年发展起来的新型有源纳米激光光源。出射光端面的孔径形状是决定其性能的重要因素之一。多种异形孔径被先后提出并证明...
[期刊论文] 作者：朱振,李沛旭,张新,王钢,徐现刚,,
来源：半导体技术 年份：2014
利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的I-V曲线不再符...
[期刊论文] 作者：朱振,张新,李沛旭,王钢,徐现刚,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
Ga In As P layers and Ga As P/(Al) Ga In P laser diodes(LDs) have been grown on Ga As substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The Ga In As P layer...
[期刊论文] 作者：冀子武,郑雨军,徐现刚,鲁云,,
来源：物理学报 年份：2010
报道了具有特殊界面结构(界面包含三个Zn—Te或Te—Zn化学键)的非掺杂ZnSe/BeTe II型量子阱在低温(5—10K)条件下的空间间接光致发光(PL)光谱的实验结果.PL光谱显示了一个较...
[期刊论文] 作者：刘江,魏汝省,徐佳,徐现刚,王璞,,
来源：中国激光 年份：2011
报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250mW时,得到稳定的重复频率为1.05MHz的自锁模脉冲,平...
[会议论文] 作者：张福生,彭燕,徐现刚,胡小波,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
采用无催化剂的铝粉和氧化硅片为原料，通过置换还原反应法在氧化硅片上生长了α-Al2O3纳米线。分别采用了X射线衍射(XRD)分析、拉曼光谱(Ramanspectra)分析、扫描电子显微...
[会议论文] 作者：徐明升,曲爽,王成新,徐现刚,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
本文研究了势垒层生长压力和气氛对AlGaN/GaN HEMT二维电阻气方块电阻的影响.100Torr生长压力表面形貌最好,方块电阻也最小.氢气比例23.5％时,方块电阻也最小.引言：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频高压微电子器件领域有很大的应用潜力[1].AlN插入层[2],Al......
[期刊论文] 作者：杨祥龙,徐现刚,陈秀芳,胡小波,,
来源：电力电子技术 年份：2017
碳化硅(SiC)作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性,是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功...
相关搜索：
