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[期刊论文] 作者：任淑华,孙建荣,倪晓平,武键,查捷,徐虹,董晓勤,孔庆鑫,金慧,周田美,赵洪峰,沈林海,
来源：中华传染病杂志 年份：2010
香港海鸥形菌(Laribacter hongkongensis)作为一株新型的与人类腹泻相关的细菌,于2001年首次分离自中国香港的1例酒精性肝硬化患者的血液和胸腔脓液中~([1])。...
[期刊论文] 作者：魏孔芳,王志光,孙建荣,臧航,姚存峰,盛彦斌,马艺准,缑洁,卢子伟,申铁龙,杨成绍,,
来源：原子核物理评论 年份：2004
采用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Si/[Fe(10 nm)/Nb(4 nm)/Fe(4 nm)/Nb(4 nm)]2/ [Fe(4nm)/Nb(4 nm)]4多层膜。用2 MeV的Xe离子在室温下辐照多层膜。采用俄歇深度剖析、X射线...
[期刊论文] 作者：施世锋,黄志成,张渝,王麟,孟冬梅,吴静芳,周勤,孙建荣,许珂,俞国强,李小仙,张燕琴,邓晶,余文炳,
来源：中国人兽共患病杂志 年份：1999
Ｏ１５７∶Ｈ７大肠杆菌一直被学术界认为是一种非致病的罕见菌株。自１９８２年首次在美国密执安州和俄勒冈州发生Ｏ１５７∶Ｈ７大肠杆菌引起的暴发流行以来［１］，已先后在美国、英国、加拿大、日本等［２］发达国家发生......
[会议论文] 作者：庞立龙,朱亚斌,缑洁,王志光,孙建荣,申铁龙,姚存峰,盛彦斌,崔明焕,魏孔芳,马艺准,
来源：第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会 年份：2010
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[会议论文] 作者：申铁龙,崔明焕,李远飞,庞立龙,朱亚滨,王志光,姚存峰,孙建荣,魏孔芳,马艺准,盛彦斌,
来源：第五届反应堆物理与核材料学术研讨会暨第二届核能软件自主化研讨会 年份：2011
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[期刊论文] 作者：庞立龙,王志光,姚存峰,崔明焕,孙建荣,申铁龙,魏孔芳,朱亚滨,盛彦斌,李远飞,李锦钰,,
来源：原子核物理评论 年份：2013
室温下,将能量为250 keV He+离子注入z切钽酸锂单晶,注量范围为5.0×1014～5.0×1016He+/cm2,应用三维轮廓仪、X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光学吸收谱对未注入和注入样品...
[会议论文] 作者：申铁龙,崔明焕,李远飞,王志光,姚存峰,孙建荣,魏孔芳,马艺准,盛彦斌,庞立龙,朱亚滨,
来源：第五届反应堆物理与核材料学术研讨会暨第二届核能软件自主化研讨会 年份：2011
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[会议论文] 作者：申铁龙,朱亚滨,崔明焕,李远飞,王志光,姚存峰,孙建荣,魏孔芳,缑洁,马艺准,盛彦斌,庞立龙,
来源：第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会 年份：2010
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[会议论文] 作者：朱亚滨,立龙,崔明焕,李远飞,申铁龙,缑洁,盛彦斌,王志光,卢子伟,孙建荣,姚存峰,魏孔芳,马艺准,周明,
来源：第十一届全国核靶技术学术交流会 年份：2011
非晶硅薄膜由于其光吸收系数高、原材料来源广泛、制备成本低以及易于大规模生产等优点，被认为是当前最重要的光伏材料之一。本研究采用射频磁控溅射(RF-MS)法在不同温度...
[会议论文] 作者：朱亚滨,缑洁,盛彦斌,立龙,崔明焕,李远飞,王志光,卢子伟,孙建荣,姚存峰,魏孔芳,申铁龙,马艺准,周明,
来源：第十一届全国核靶技术学术交流会 年份：2011
非晶硅薄膜由于其光吸收系数高、原材料来源广泛、制备成本低以及易于大规模生产等优点，被认为是当前最重要的光伏材料之一。本研究采用射频磁控溅射(RF-MS)法在不同温度...
[期刊论文] 作者：杨成绍,王志光,孙建荣,姚存峰,臧航,魏孔芳,缑洁,马艺准,申铁龙,盛彦斌,朱亚斌,庞立龙,李炳生,张洪华,付云翀,,
来源：原子核物理评论 年份：2010
室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析...
TEM Characterization of Helium Bubbles in T91 and MNHS Steels Implanted with 200 keV He Ions at Diff
[期刊论文] 作者：王霁,高星,王志光,魏孔芳,姚存峰,崔明焕,孙建荣,李炳生,庞立龙,朱亚滨,骆鹏,常海龙,张宏鹏,朱卉平,王栋,杜洋洋,谢二庆,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
Modified novel high silicon steel(MNHS,a newly developed reduced-activation martensitic alloy) and commercial alloy T91 are implanted with 200 keV He~(2+) ions...
[期刊论文] 作者：韩驿,李炳生,王志光,彭金鑫,孙建荣,魏孔芳,姚存峰,高宁,高星,庞立龙,朱亚滨,申铁龙,常海龙,崔明焕,骆鹏,盛彦斌,张宏鹏,方雪松,赵四祥,金锦,黄玉璇,刘超,王栋,何文豪,邓天虞,台鹏飞,马志伟,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
Radiation-induced defect annealing in He~+ ion-implanted 4 H-SiC via H~+ ion irradiation is investigated by Raman spectroscopy. There are 4 H-SiC wafers irradia...
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