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[期刊论文] 作者:刘颖,杜国同,姜秀英,刘素平,张晓波,赵永生,高鼎三,林世鸣,康学军,高洪海,高俊华,王红杰, 来源:半导体学报 年份:2004
本文报道了室温连续激射的GaAs/GaAIAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果.该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺......
[期刊论文] 作者:刘颖,杜国同,姜秀英,刘素平,张晓波,赵永生,高鼎三,林世呜,高洪海,高俊华,王洪杰,康学军, 来源:红外与毫米波学报 年份:1996
报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的......
[会议论文] 作者:马艳,杜国同,杨树人,李正庭,李万成,杨天鹏,杨洪军,张源涛,杨小天,赵佰军,刘博阳,刘大力,姜秀英, 来源:中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份:2003
本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-AlO衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ族源O气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.......
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